БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFU320PBF

    IRFU320PBF

    MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA

    Vishay Siliconix

    2,342
    IRFU320PBF

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.1A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    NVMFS5C468NLWFAFT1G

    NVMFS5C468NLWFAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 37A 5DFN

    onsemi

    1,205
    NVMFS5C468NLWFAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 37A (Tc) 4.5V, 10V 10.3mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 7.3 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    R6509ENXC7G

    R6509ENXC7G

    650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

    Rohm Semiconductor

    974
    R6509ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Ta) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 230µA 24 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPA50R280CEXKSA2

    IPA50R280CEXKSA2

    MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220

    Infineon Technologies

    450
    IPA50R280CEXKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CE TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7.5A (Tc) 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V 773 pF @ 100 V - 30.4W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-FP
    STU5N62K3

    STU5N62K3

    MOSFET N-CH 620V 4.2A IPAK

    STMicroelectronics

    3,000
    STU5N62K3

    Техническая документация

    SuperMESH3™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 4.2A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 50µA 26 nC @ 10 V ±30V 680 pF @ 50 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    SISS02DN-T1-GE3

    SISS02DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK

    Vishay Siliconix

    2,988
    SISS02DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 51A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 83 nC @ 10 V +16V, -12V 4450 pF @ 10 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    SQJ140EP-T1_GE3

    SQJ140EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,945
    SQJ140EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 266A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3855 pF @ 25 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN5R0-40MSHX

    PSMN5R0-40MSHX

    MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33

    Nexperia USA Inc.

    2,661
    PSMN5R0-40MSHX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 85A (Tc) 10V 5mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 1mA 29 nC @ 10 V ±20V 2010 pF @ 20 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK33
    SIHP5N80AE-GE3

    SIHP5N80AE-GE3

    E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

    Vishay Siliconix

    988
    SIHP5N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.4A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 321 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SQ4410EY-T1_BE3

    SQ4410EY-T1_BE3

    MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

    Vishay Siliconix

    4,728
    SQ4410EY-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V 2385 pF @ 25 V - 5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
    IRFR9014TRLPBF

    IRFR9014TRLPBF

    MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

    Vishay Siliconix

    2,555
    IRFR9014TRLPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFU9010PBF

    IRFU9010PBF

    MOSFET P-CH 50V 5.3A TO251AA

    Vishay Siliconix

    527
    IRFU9010PBF

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 9.1 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IXFA4N85X

    IXFA4N85X

    MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263

    IXYS

    300
    IXFA4N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 3.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V 5.5V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±30V 247 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (IXFA)
    SIR184LDP-T1-RE3

    SIR184LDP-T1-RE3

    N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,288
    SIR184LDP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 21.5A (Ta), 73A (Tc) 4.5V, 10V 5.4mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 30 V - 5W (Ta), 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RXH100N03TB1

    RXH100N03TB1

    4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE

    Rohm Semiconductor

    2,442
    RXH100N03TB1

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 11 nC @ 5 V ±20V 800 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    TSM60NC390CH C5G

    TSM60NC390CH C5G

    600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    12,986
    TSM60NC390CH C5G

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 21.4 nC @ 10 V ±20V 818 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    STF5N60M2

    STF5N60M2

    MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,959
    STF5N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.85A, 10V 4V @ 250µA 4.5 nC @ 10 V ±25V 165 pF @ 100 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRFU9020PBF

    IRFU9020PBF

    MOSFET P-CH 50V 9.9A TO251AA

    Vishay Siliconix

    8,140
    IRFU9020PBF

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 9.9A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    SI4686DY-T1-GE3

    SI4686DY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO

    Vishay Siliconix

    6,271
    SI4686DY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET®, WFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18.2A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 13.8A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1220 pF @ 15 V - 3W (Ta), 5.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SIR450DP-T1-RE3

    SIR450DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,629
    SIR450DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 36A (Ta), 113A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 114 nC @ 10 V +20V, -16V 5920 pF @ 20 V - 4.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    Total 36322 Record«Prev1... 144145146147148149150151...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.