БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      RD3T050CNTL1

      RD3T050CNTL1

      MOSFET N-CH 200V 5A TO252

      Rohm Semiconductor

      		 1,982
      Запрос на предложение
      		RD3T050CNTL1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 10V 760mOhm @ 2.5A, 10V 5.25V @ 1mA 8.3 nC @ 10 V ±30V 330 pF @ 25 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
      RJK0355DSP-00#J0

      RJK0355DSP-00#J0

      MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

      Renesas Electronics Corporation

      		 10,000
      Запрос на предложение
      		RJK0355DSP-00#J0

      Техническая документация

             		- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 11.1mOhm @ 6A, 10V - 6 nC @ 4.5 V ±20V 860 pF @ 10 V - 1.8W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
      SISS76LDN-T1-GE3

      SISS76LDN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 5,988
      Запрос на предложение
      		SISS76LDN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70 V 19.6A (Ta), 67.4A (Tc) 3.3V, 4.5V 6.25mOhm @ 10A, 4.5V 1.6V @ 250µA 33.5 nC @ 4.5 V ±12V 2780 pF @ 35 V - 4.8W (Ta), 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
      SISS78LDN-T1-GE3

      SISS78LDN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 70V 19.4A/66.7A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 5,953
      Запрос на предложение
      		SISS78LDN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70 V 19.4A (Ta), 66.7A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2280 pF @ 35 V - 4.8W (Ta), 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
      TSM056NH04LCR RLG

      TSM056NH04LCR RLG

      40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 5,000
      Запрос на предложение
      		TSM056NH04LCR RLG

      Техническая документация

             		PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 18A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 27A, 10V 2.2V @ 250µA 30.4 nC @ 10 V ±16V 1940 pF @ 25 V - 78.9W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
      TSM056NH04CR RLG

      TSM056NH04CR RLG

      40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 5,000
      Запрос на предложение
      		TSM056NH04CR RLG

      Техническая документация

             		PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 18A (Ta), 54A (Tc) 7V, 10V 5.6mOhm @ 27A, 10V 3.6V @ 250µA 27.3 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 25 V - 78.9W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
      SIR818DP-T1-GE3

      SIR818DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 4,055
      Запрос на предложение
      		SIR818DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 3660 pF @ 15 V - 5.2W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      IRFH7545TRPBF

      IRFH7545TRPBF

      MOSFET N-CH 60V 85A PQFN

      Infineon Technologies

      		 3,440
      Запрос на предложение
      		IRFH7545TRPBF

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 85A (Tc) 6V, 10V 5.2mOhm @ 51A, 10V 3.7V @ 100µA 110 nC @ 10 V ±20V 3890 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
      R6006KNXC7G

      R6006KNXC7G

      600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

      Rohm Semiconductor

      		 974
      Запрос на предложение
      		R6006KNXC7G

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Ta) 10V 830mOhm @ 3A, 10V 5.5V @ 1mA 12 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
      NVMFD6H852NLWFT1G

      NVMFD6H852NLWFT1G

      MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL

      onsemi

      		 920
      Запрос на предложение
      		NVMFD6H852NLWFT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 7A (Ta), 25A (Tc) 4.5V, 10V 25.5mOhm @ 10A, 10V 2V @ 26µA 10 nC @ 10 V ±20V 521 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
      IRL510PBF-BE3

      IRL510PBF-BE3

      MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 332
      Запрос на предложение
      		IRL510PBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) - 540mOhm @ 3.4A, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      RRQ045P03HZGTR

      RRQ045P03HZGTR

      AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL

      Rohm Semiconductor

      		 193
      Запрос на предложение
      		RRQ045P03HZGTR

      Техническая документация

             		- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.5A (Ta) 4V, 10V 35mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 14 nC @ 5 V ±20V 1350 pF @ 10 V - 950mW (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TSMT6 (SC-95)
      AOD600A70

      AOD600A70

      MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 3,486
      Запрос на предложение
      		AOD600A70

      Техническая документация

             		aMOS5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 8.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.5A, 10V 3.5V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      AONS1R6A70

      AONS1R6A70

      MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 2,507
      Запрос на предложение
      		AONS1R6A70

      Техническая документация

             		aMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 1.1A (Ta), 4.6A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 1A, 10V 3.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±30V 354 pF @ 100 V - 4.1W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
      TK6P65W,RQ

      TK6P65W,RQ

      MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 2,008
      Запрос на предложение
      		TK6P65W,RQ

      Техническая документация

             		DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 5.8A (Ta) 10V 1.05Ohm @ 2.9A, 10V 3.5V @ 180µA 11 nC @ 10 V ±30V 390 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      RJK5030DPP-M0#T2

      RJK5030DPP-M0#T2

      MOSFET N-CH 500V 5A TO220FL

      Renesas Electronics Corporation

      		 1,411
      Запрос на предложение
      		RJK5030DPP-M0#T2

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Ta) 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V - 13 nC @ 10 V ±30V 550 pF @ 25 V - 28.5W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
      SISS70DN-T1-GE3

      SISS70DN-T1-GE3

      MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 6,000
      Запрос на предложение
      		SISS70DN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 125 V 8.5A (Ta), 31A (Tc) 10V 29.8mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 250µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 535 pF @ 62.5 V - 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
      SISS588DN-T1-GE3

      SISS588DN-T1-GE3

      N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

      Vishay Siliconix

      		 6,000
      Запрос на предложение
      		SISS588DN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen V PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) 7.5V, 10V 8mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 40 V - 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
      FDMS0306AS

      FDMS0306AS

      MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN

      onsemi

      		 2,946
      Запрос на предложение
      		FDMS0306AS

      Техническая документация

             		PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 26A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 26A, 10V 3V @ 1mA 57 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 59W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
      BUK9Y8R7-60E,115

      BUK9Y8R7-60E,115

      MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		BUK9Y8R7-60E,115

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 86A (Tc) 5V, 10V 7.5mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 1mA 31 nC @ 5 V ±10V 4570 pF @ 25 V - 147W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      Total 36322 Record«Prev1... 140141142143144145146147...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]