БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SQJA76EP-T1_GE3

    SQJA76EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,550
    SQJA76EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 5250 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    BUK9Y22-60ELX

    BUK9Y22-60ELX

    SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L

    Nexperia USA Inc.

    2,400
    BUK9Y22-60ELX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 14.8mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±10V 2592 pF @ 25 V - 95W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IXFA12N50P

    IXFA12N50P

    MOSFET N-CH 500V 12A TO263

    IXYS

    298
    IXFA12N50P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 6A, 10V 5.5V @ 1mA 29 nC @ 10 V ±30V 1830 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
    RJK1002DPP-A0#T2

    RJK1002DPP-A0#T2

    MOSFET N-CH 100V 70A TO220FPA

    Renesas Electronics Corporation

    7,569
    RJK1002DPP-A0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Ta) 10V 7.6mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 10 V - 30W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220ABA
    NP35N04YUG-E1-AY

    NP35N04YUG-E1-AY

    MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

    Renesas Electronics Corporation

    5,000
    NP35N04YUG-E1-AY

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Tc) 10V 10mOhm @ 17.5A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 25 V - 1W (Ta), 77W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSON
    AOTF380A60CL

    AOTF380A60CL

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,982
    AOTF380A60CL

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tj) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 955 pF @ 100 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    IRFR010PBF

    IRFR010PBF

    MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

    Vishay Siliconix

    2,278
    IRFR010PBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 8.2A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    MCU80N06-TP

    MCU80N06-TP

    MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

    Micro Commercial Co

    31,886
    MCU80N06-TP

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 30A, 10V 1.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 85W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TSM033NB04CR RLG

    TSM033NB04CR RLG

    MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,625
    TSM033NB04CR RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 21A (Ta), 121A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 21A, 10V 4V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V 5022 pF @ 20 V - 3.1W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
    STS10P4LLF6

    STS10P4LLF6

    MOSFET P-CH 40V 10A 8SO

    STMicroelectronics

    2,290
    STS10P4LLF6

    Техническая документация

    STripFET™ F6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 3A, 10V 1V @ 250µA (Min) 34 nC @ 4.5 V ±20V 3525 pF @ 25 V - 2.7W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NVMFS5C460NT1G

    NVMFS5C460NT1G

    MOSFET N-CH 40V 19A/71A 5DFN

    onsemi

    1,488
    NVMFS5C460NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 19A (Ta), 71A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRF9620PBF-BE3

    IRF9620PBF-BE3

    MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB

    Vishay Siliconix

    766
    IRF9620PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) - 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    ZXMN2A02N8TA

    ZXMN2A02N8TA

    MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO

    Diodes Incorporated

    121
    ZXMN2A02N8TA

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 20mOhm @ 11A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 18.9 nC @ 4.5 V ±12V 1900 pF @ 10 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    TPH1R204PL,L1Q

    TPH1R204PL,L1Q

    MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,414
    TPH1R204PL,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSIX-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 1.24mOhm @ 50A, 10V 2.4V @ 500µA 74 nC @ 10 V ±20V 7200 pF @ 20 V - 960mW (Ta), 132W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    CSD16340Q3T

    CSD16340Q3T

    MOSFET N-CH 25V 60A 8VSON

    Texas Instruments

    2,623
    CSD16340Q3T

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 2.5V, 8V 4.5mOhm @ 20A, 8V 1.1V @ 250µA 9.2 nC @ 4.5 V +10V, -8V 1350 pF @ 12.5 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
    IRF510STRRPBF

    IRF510STRRPBF

    MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263

    Vishay Siliconix

    1,497
    IRF510STRRPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF510STRLPBF

    IRF510STRLPBF

    MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

    Vishay Siliconix

    250
    IRF510STRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 10V 540mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STL7N6LF3

    STL7N6LF3

    MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    4,860
    STL7N6LF3

    Техническая документация

    STripFET™ F3 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 20A (Tc) 5V, 10V 43mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 432 pF @ 25 V - 4.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    SIRA36DP-T1-GE3

    SIRA36DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,924
    SIRA36DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 56 nC @ 10 V +20V, -16V 2815 pF @ 15 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ409EP-T1_BE3

    SQJ409EP-T1_BE3

    P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    2,611
    SQJ409EP-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    Total 36322 Record«Prev1... 143144145146147148149150...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.