БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMFS5C468NT1G

    NVMFS5C468NT1G

    MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN

    onsemi

    1,493
    NVMFS5C468NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12A (Ta), 35A (Tc) 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 7.9 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 3.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRFZ24PBF-BE3

    IRFZ24PBF-BE3

    MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    158
    IRFZ24PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) - 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SISS30LDN-T1-GE3

    SISS30LDN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 80V 16A/55.5A PPAK

    Vishay Siliconix

    10,781
    SISS30LDN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16A (Ta), 55.5A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 2070 pF @ 40 V - 4.8W (Ta), 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    RSH065N06GZETB

    RSH065N06GZETB

    MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    109
    RSH065N06GZETB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.5A (Ta) 4V, 10V 37mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 16 nC @ 5 V 20V 900 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    SQJA04EP-T1_GE3

    SQJA04EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,954
    SQJA04EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ454EP-T1_BE3

    SQJ454EP-T1_BE3

    N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE

    Vishay Siliconix

    5,380
    SQJ454EP-T1_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13A (Tc) 4.5V, 10V 145mOhm @ 7.5A, 10V 2.5V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    TQM130NB06CR RLG

    TQM130NB06CR RLG

    MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,443
    TQM130NB06CR RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Ta), 50A (Tc) 7V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 3.8V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2234 pF @ 30 V - 3.1W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
    SI4894BDY-T1-E3

    SI4894BDY-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

    Vishay Siliconix

    11,198
    SI4894BDY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.9A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1580 pF @ 15 V - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    CSD17579Q3AT

    CSD17579Q3AT

    MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

    Texas Instruments

    4,869
    CSD17579Q3AT

    Техническая документация

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 10.2mOhm @ 8A, 10V 1.9V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 998 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (3x3.3)
    ZXMN10A25KTC

    ZXMN10A25KTC

    MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3

    Diodes Incorporated

    4,709
    ZXMN10A25KTC

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.2A (Ta) 6V, 10V 125mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 17.16 nC @ 10 V ±20V 859 pF @ 50 V - 2.11W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-3
    BUK9635-55A,118

    BUK9635-55A,118

    MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    4,281
    BUK9635-55A,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 34A (Tc) 5V, 10V 32mOhm @ 25A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 1173 pF @ 25 V - 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    BSZ0503NSIATMA1

    BSZ0503NSIATMA1

    MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON

    Infineon Technologies

    3,716
    BSZ0503NSIATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
    STU9N60M2

    STU9N60M2

    MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK

    STMicroelectronics

    1,776
    STU9N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5.5A (Tc) 10V 780mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±25V 320 pF @ 100 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    SI7117DN-T1-GE3

    SI7117DN-T1-GE3

    MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

    Vishay Siliconix

    1,461
    SI7117DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.17A (Tc) 6V, 10V 1.2Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 510 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    NTTFS5D1N06HLTAG

    NTTFS5D1N06HLTAG

    MOSFET N-CH 60V 18A/78A 8WDFN

    onsemi

    335
    NTTFS5D1N06HLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 16A, 10V 2V @ 80µA 22.5 nC @ 10 V ±20V 1610 pF @ 30 V - 3.2W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    UPA2738GR-E1-AX

    UPA2738GR-E1-AX

    MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

    Renesas Electronics Corporation

    10,325
    UPA2738GR-E1-AX

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V - 37 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    SQJA80EP-T1_BE3

    SQJA80EP-T1_BE3

    N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    8,960
    SQJA80EP-T1_BE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ444EP-T1_BE3

    SQJ444EP-T1_BE3

    N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    6,000
    SQJ444EP-T1_BE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ444EP-T1_GE3

    SQJ444EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    3,878
    SQJ444EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 5000 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIHD6N80AE-GE3

    SIHD6N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 5A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,014
    SIHD6N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±30V 422 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    Total 36322 Record«Prev1... 139140141142143144145146...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.