БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFB11N50APBF-BE3

    IRFB11N50APBF-BE3

    MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

    Vishay Siliconix

    2,187
    IRFB11N50APBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    STF13N65M2

    STF13N65M2

    MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,856
    STF13N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 430mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF820STRRPBF

    IRF820STRRPBF

    MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,536
    IRF820STRRPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHP12N50E-GE3

    SIHP12N50E-GE3

    MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB

    Vishay Siliconix

    1,000
    SIHP12N50E-GE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6515KNXC7G

    R6515KNXC7G

    650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    998
    R6515KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 315mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 430µA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6015KNXC7G

    R6015KNXC7G

    600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    989
    R6015KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    NTMYS5D3N04CTWG

    NTMYS5D3N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK

    onsemi

    2,603
    NTMYS5D3N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 19A (Ta), 71A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 40µA 16 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    R6004JND3TL1

    R6004JND3TL1

    MOSFET N-CH 600V 4A TO252

    Rohm Semiconductor

    2,495
    R6004JND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 15V 1.43Ohm @ 2A, 15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 260 pF @ 100 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    RS6G100BGTB1

    RS6G100BGTB1

    NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    2,413
    RS6G100BGTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 1510 pF @ 20 V - 3W (Ta), 59W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    AOTF266L

    AOTF266L

    MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    108
    AOTF266L

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 6V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V 3.2V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 5650 pF @ 30 V - 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    STL13N60M6

    STL13N60M6

    MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV

    STMicroelectronics

    2,490
    STL13N60M6

    Техническая документация

    MDmesh™ M6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 415mOhm @ 3.5A, 10V 4.75V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±25V 509 pF @ 100 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
    RJK5033DPP-M0#T2

    RJK5033DPP-M0#T2

    MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL

    Renesas Electronics Corporation

    2,089
    RJK5033DPP-M0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Ta) 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V - - ±30V 600 pF @ 25 V - 27.4W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
    PJMP390N65EC_T0_00001

    PJMP390N65EC_T0_00001

    650V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    1,996
    PJMP390N65EC_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 390mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 726 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
    RX3L07BGNC16

    RX3L07BGNC16

    NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS

    Rohm Semiconductor

    1,314
    RX3L07BGNC16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 50µA 55 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 30 V - 96W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHA12N50E-GE3

    SIHA12N50E-GE3

    N-CHANNEL 500V

    Vishay Siliconix

    909
    SIHA12N50E-GE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    AOT14N50

    AOT14N50

    MOSFET N-CH 500V 14A TO220

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    901
    AOT14N50

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 2297 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SI7464DP-T1-GE3

    SI7464DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    1,930
    SI7464DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Ta) 6V, 10V 240mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN1R9-40YSDX

    PSMN1R9-40YSDX

    MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    932
    PSMN1R9-40YSDX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±20V 6198 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IPAN60R210PFD7SXKSA1

    IPAN60R210PFD7SXKSA1

    MOSFET N-CH 650V 16A TO220

    Infineon Technologies

    781
    IPAN60R210PFD7SXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™PFD7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 25W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    R6035VNXC7G

    R6035VNXC7G

    600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

    Rohm Semiconductor

    746
    R6035VNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V, 15V 114mOhm @ 8A, 15V 6.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 100 V - 81W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    Total 36322 Record«Prev1... 156157158159160161162163...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.