БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NP75N04YUG-E1-AY

    NP75N04YUG-E1-AY

    MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

    Renesas Electronics Corporation

    5,000
    NP75N04YUG-E1-AY

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 4.8mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 1W (Ta), 138W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSON
    RRS100P03HZGTB

    RRS100P03HZGTB

    PCH -30V -10A POWER MOSFET. RRS1

    Rohm Semiconductor

    1,215
    RRS100P03HZGTB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 12.6mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 39 nC @ 5 V ±20V 3600 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    R8002KNXC7G

    R8002KNXC7G

    800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED

    Rohm Semiconductor

    944
    R8002KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.6A (Ta) 10V 4.2Ohm @ 800mA, 10V 4.5V @ 150µA 7.5 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 100 V - 28W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    MCB200N06Y-TP

    MCB200N06Y-TP

    N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

    Micro Commercial Co

    675
    MCB200N06Y-TP

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 5950 pF @ 25 V - 260W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFI9630GPBF

    IRFI9630GPBF

    MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3

    Vishay Siliconix

    2,020
    IRFI9630GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.3A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    PJP60R390E_T0_00001

    PJP60R390E_T0_00001

    600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO

    Panjit International Inc.

    1,995
    PJP60R390E_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.5A (Ta), 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 531 pF @ 25 V - 2W (Ta), 124W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NTMFS1D15N03CGT1G

    NTMFS1D15N03CGT1G

    MOSFET N-CH 30V 43A/245A 5DFN

    onsemi

    1,330
    NTMFS1D15N03CGT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 43A (Ta), 245A (Tc) 10V 1.15mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 160µA 94 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 124W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NVMJS1D3N04CTWG

    NVMJS1D3N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK

    onsemi

    6,000
    NVMJS1D3N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 41A (Ta), 235A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 170µA 65 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    SQJ461EP-T2_GE3

    SQJ461EP-T2_GE3

    P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    5,870
    SQJ461EP-T2_GE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 14.4A, 10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 4710 pF @ 30 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRF9510SPBF

    IRF9510SPBF

    MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

    Vishay Siliconix

    946
    IRF9510SPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount -
    N0607N-ZK-E1-AY

    N0607N-ZK-E1-AY

    ABU / MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    8,866
    N0607N-ZK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 65A (Ta) 10V 8.4mOhm @ 32.5A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 1W (Ta), 87.4W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252
    R6007JNXC7G

    R6007JNXC7G

    MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    2,010
    R6007JNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 15V 780mOhm @ 3.5A, 15V 7V @ 1mA 17.5 nC @ 15 V ±30V 475 pF @ 100 V - 46W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SIR104ADP-T1-RE3

    SIR104ADP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

    Vishay Siliconix

    5,937
    SIR104ADP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.8A (Ta), 81A (Tc) 7.5V, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 50 V - 5.4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIDR638DP-T1-GE3

    SIDR638DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC

    Vishay Siliconix

    4,599
    SIDR638DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V, -16V 10500 pF @ 20 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    TSM4ND65CI

    TSM4ND65CI

    MOSFET N-CH 650V 4A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    1,845
    TSM4ND65CI

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 1.2A, 10V 3.8V @ 250µA 16.8 nC @ 10 V ±30V 596 pF @ 50 V - 41.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    FDP053N08B-F102

    FDP053N08B-F102

    MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

    onsemi

    1,520
    FDP053N08B-F102

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 75A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 5960 pF @ 40 V - 146W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    PJMD900N60EC_L2_00001

    PJMD900N60EC_L2_00001

    600V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    5,835
    PJMD900N60EC_L2_00001

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V 310 pF @ 400 V - 47.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    PJMP990N65EC_T0_00001

    PJMP990N65EC_T0_00001

    650V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    2,000
    PJMP990N65EC_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.7A (Tc) 10V 990mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V 306 pF @ 400 V - 47.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
    NVMFS4C03NT1G

    NVMFS4C03NT1G

    MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN

    onsemi

    1,350
    NVMFS4C03NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 31.4A (Ta), 143A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 nC @ 10 V ±20V 3071 pF @ 15 V - 3.71W (Ta), 77W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    AOB380A60CL

    AOB380A60CL

    MOSFET N-CH 600V 11A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    1,309
    AOB380A60CL

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 955 pF @ 100 V - 131W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 159160161162163164165166...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.