БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD90N06S4L03ATMA2

    IPD90N06S4L03ATMA2

    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

    Infineon Technologies

    7,406
    IPD90N06S4L03ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V 13000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-11
    STF15N60M2-EP

    STF15N60M2-EP

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,550
    STF15N60M2-EP

    Техническая документация

    MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 378mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    R6020YNXC7G

    R6020YNXC7G

    600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN

    Rohm Semiconductor

    1,100
    R6020YNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V, 12V 200mOhm @ 6A, 10V 6V @ 1.65mA 28 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 100 V - 62W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    FCP190N65S3R0

    FCP190N65S3R0

    MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

    onsemi

    535
    FCP190N65S3R0

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 33 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 400 V - 144W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXTP08N100P

    IXTP08N100P

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

    Littelfuse Inc.

    247
    IXTP08N100P

    Техническая документация

    Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 800mA (Tc) 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 50µA 11.3 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRFR430ATRPBF

    IRFR430ATRPBF

    MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

    Vishay Siliconix

    1,748
    IRFR430ATRPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.7Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NVTFWS002N04CLTAG

    NVTFWS002N04CLTAG

    MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN

    onsemi

    1,490
    NVTFWS002N04CLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 142A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 90µA 49 nC @ 10 V ±20V 2940 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    STD4N62K3

    STD4N62K3

    MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK

    STMicroelectronics

    5,423
    STD4N62K3

    Техническая документация

    SuperMESH3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 3.8A (Tc) 10V 1.95Ohm @ 1.9A, 10V 4.5V @ 50µA 14 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 50 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK65S04N1L,LQ

    TK65S04N1L,LQ

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,964
    TK65S04N1L,LQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 10V 4.3mOhm @ 32.5A, 10V 2.5V @ 300µA 39 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 107W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    IPD038N06N3GATMA1

    IPD038N06N3GATMA1

    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,376
    IPD038N06N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPA60R380E6XKSA1

    IPA60R380E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP

    Infineon Technologies

    150
    IPA60R380E6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    RD3G600GNTL

    RD3G600GNTL

    MOSFET N-CH 40V 60A TO252

    Rohm Semiconductor

    2,427
    RD3G600GNTL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 2.5V @ 1mA 46.5 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 20 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    PJMF280N65E1_T0_00001

    PJMF280N65E1_T0_00001

    650V SUPER JUNCITON MOSFET

    Panjit International Inc.

    1,998
    PJMF280N65E1_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1040 pF @ 400 V - 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    STB120N4F6

    STB120N4F6

    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

    STMicroelectronics

    744
    STB120N4F6

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF9Z30PBF-BE3

    IRF9Z30PBF-BE3

    MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

    Vishay Siliconix

    8,011
    IRF9Z30PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9.3A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIRA54ADP-T1-RE3

    SIRA54ADP-T1-RE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    6,000
    SIRA54ADP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36.2A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V, -16V 3850 pF @ 20 V - 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIJA54ADP-T1-GE3

    SIJA54ADP-T1-GE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,923
    SIJA54ADP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35.4A (Ta), 126A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V, -16V 3850 pF @ 20 V - 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN1R0-25YLDX

    PSMN1R0-25YLDX

    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    5,901
    PSMN1R0-25YLDX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.89mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 71.8 nC @ 10 V ±20V 5308 pF @ 12 V Schottky Diode (Body) 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IRF9Z24PBF-BE3

    IRF9Z24PBF-BE3

    MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB

    Vishay Siliconix

    891
    IRF9Z24PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) - 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    RD3U080AAFRATL

    RD3U080AAFRATL

    250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER

    Rohm Semiconductor

    3,899
    RD3U080AAFRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Tc) 10V 300mOhm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 1440 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    Total 36322 Record«Prev1... 157158159160161162163164...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.