БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IPF050N10NF2SATMA1

      IPF050N10NF2SATMA1

      MOSFET

      Infineon Technologies

      		 1,311
      Запрос на предложение
      		IPF050N10NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Ta), 117A (Tc) 6V, 10V 5.05mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 84µA 76 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
      IRFBC40PBF-BE3

      IRFBC40PBF-BE3

      MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 1,018
      Запрос на предложение
      		IRFBC40PBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) - 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      RJK0455DPB-00#J5

      RJK0455DPB-00#J5

      MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

      Renesas Electronics Corporation

      		 7,490
      Запрос на предложение
      		RJK0455DPB-00#J5

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Ta) 10V 3.8mOhm @ 22.5A, 10V - 34 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
      SIHJ8N60E-T1-GE3

      SIHJ8N60E-T1-GE3

      MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8

      Vishay Siliconix

      		 2,881
      Запрос на предложение
      		SIHJ8N60E-T1-GE3

      Техническая документация

             		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 520mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±30V 754 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      IRFBC30ASPBF

      IRFBC30ASPBF

      MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 2,169
      Запрос на предложение
      		IRFBC30ASPBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      NVMJST3D3N04CTXG

      NVMJST3D3N04CTXG

      TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

      onsemi

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		NVMJST3D3N04CTXG

      Техническая документация

             		- 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 157A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 60µA 23 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
      STL105N8F7AG

      STL105N8F7AG

      AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V, 5.6 M

      STMicroelectronics

      		 2,994
      Запрос на предложение
      		STL105N8F7AG

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 95A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 3475 pF @ 25 V - 127W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
      SQJQ150E-T1_GE3

      SQJQ150E-T1_GE3

      AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

      Vishay Siliconix

      		 1,960
      Запрос на предложение
      		SQJQ150E-T1_GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 233A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 4643 pF @ 25 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
      TK60F10N1L,LXGQ

      TK60F10N1L,LXGQ

      MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 1,750
      Запрос на предложение
      		TK60F10N1L,LXGQ

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Ta) 6V, 10V 6.11mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 4320 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
      R6004JNJGTL

      R6004JNJGTL

      MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

      Rohm Semiconductor

      		 993
      Запрос на предложение
      		R6004JNJGTL

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 15V 1.43Ohm @ 2A, 15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 260 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
      R6509END3TL1

      R6509END3TL1

      650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER

      Rohm Semiconductor

      		 4,421
      Запрос на предложение
      		R6509END3TL1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Tc) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 230µA 24 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
      AUIRF7647S2TR

      AUIRF7647S2TR

      MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET

      Infineon Technologies

      		 3,147
      Запрос на предложение
      		AUIRF7647S2TR

      Техническая документация

             		HEXFET® DirectFET™ Isometric SC Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.9A (Ta), 24A (Tc) 10V 31mOhm @ 14A, 10V 5V @ 50µA 21 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SC
      IRF830SPBF

      IRF830SPBF

      MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 1,078
      Запрос на предложение
      		IRF830SPBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      NTD600N80S3Z

      NTD600N80S3Z

      MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE

      onsemi

      		 2,543
      Запрос на предложение
      		NTD600N80S3Z

      Техническая документация

             		SuperFET® III TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tj) 10V 600mOhm @ 4A, 10V 3.8V @ 180µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 725 pF @ 400 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      SIDR638DP-T1-RE3

      SIDR638DP-T1-RE3

      N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

      Vishay Siliconix

      		 12,000
      Запрос на предложение
      		SIDR638DP-T1-RE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V, -16V 10500 pF @ 20 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
      PJMF210N65EC_T0_00601

      PJMF210N65EC_T0_00601

      650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

      Panjit International Inc.

      		 1,978
      Запрос на предложение
      		PJMF210N65EC_T0_00601

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 210mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 1412 pF @ 400 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
      STF6N80K5

      STF6N80K5

      MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 996
      Запрос на предложение
      		STF6N80K5

      Техническая документация

             		SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 13 nC @ 10 V 30V 270 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      AUIRFR3806TRL

      AUIRFR3806TRL

      MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

      Infineon Technologies

      		 6,519
      Запрос на предложение
      		AUIRFR3806TRL

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 43A (Tc) 10V 15.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 50µA 30 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 50 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      R5205PND3FRATL

      R5205PND3FRATL

      525V 5A TO-252, AUTOMOTIVE POWER

      Rohm Semiconductor

      		 2,277
      Запрос на предложение
      		R5205PND3FRATL

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V 4.5V @ 1mA 10.8 nC @ 10 V ±30V 320 pF @ 25 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
      NTMYS2D4N04CTWG

      NTMYS2D4N04CTWG

      MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK

      onsemi

      		 2,850
      Запрос на предложение
      		NTMYS2D4N04CTWG

      Техническая документация

             		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Ta), 138A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 90µA 32 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
      Total 36322 Record«Prev1... 162163164165166167168169...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]