БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6507KNXC7G

    R6507KNXC7G

    650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

    Rohm Semiconductor

    979
    R6507KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Ta) 10V 665mOhm @ 2.4A, 10V 5V @ 200µA 14.5 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 25 V - 46W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPF042N10NF2SATMA1

    IPF042N10NF2SATMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    281
    IPF042N10NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 21A (Ta), 139A (Tc) 6V, 10V 4.25mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 93µA 85 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    IPB026N06NATMA1

    IPB026N06NATMA1

    MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,911
    IPB026N06NATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.8V @ 75µA 56 nC @ 10 V ±20V 4100 pF @ 30 V - 3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    STL190N4F7AG

    STL190N4F7AG

    MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    807
    STL190N4F7AG

    Техническая документация

    STripFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2mOhm @ 17.5A, 10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 127W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerFlat™ (5x6)
    NP75N055YUK-E1-AY

    NP75N055YUK-E1-AY

    POWER TRS2

    Renesas Electronics Corporation

    5,000
    NP75N055YUK-E1-AY

    Техническая документация

    - 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 1W (Ta), 138W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
    R6520KNXC7G

    R6520KNXC7G

    650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    998
    R6520KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 630µA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 68W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IXTP110N055T2

    IXTP110N055T2

    MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    300
    IXTP110N055T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 6.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V 3060 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRF830STRLPBF

    IRF830STRLPBF

    MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

    Vishay Siliconix

    650
    IRF830STRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STF7N90K5

    STF7N90K5

    MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP

    STMicroelectronics

    930
    STF7N90K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 7A (Tc) 10V - 5V @ 100µA - ±30V - - 25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    FDP030N06B-F102

    FDP030N06B-F102

    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

    onsemi

    679
    FDP030N06B-F102

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 99 nC @ 10 V ±20V 8030 pF @ 30 V - 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXFP7N100P

    IXFP7N100P

    MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB

    IXYS

    300
    IXFP7N100P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 7A (Tc) 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V 6V @ 1mA 47 nC @ 10 V ±30V 2590 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    RS1E321GNTB1

    RS1E321GNTB1

    MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    4,800
    RS1E321GNTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 32A, 10V 2.5V @ 1mA 42.8 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    NP89N06PDK-E1-AY

    NP89N06PDK-E1-AY

    P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS

    Renesas Electronics Corporation

    1,600
    NP89N06PDK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 147W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-3
    IPI90N04S402AKSA1

    IPI90N04S402AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3

    Infineon Technologies

    439
    IPI90N04S402AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 90A, 10V 4V @ 95µA 118 nC @ 10 V ±20V 9430 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    R6515KNZC17

    R6515KNZC17

    MOSFET N-CH 650V 15A TO3

    Rohm Semiconductor

    299
    R6515KNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 315mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 430µA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    R6015KNZC17

    R6015KNZC17

    MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    289
    R6015KNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    RS6P060BHTB1

    RS6P060BHTB1

    NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    2,220
    RS6P060BHTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 6V, 10V 10.6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 1560 pF @ 50 V - 3W (Ta), 73W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    PSMN1R1-30YLEX

    PSMN1R1-30YLEX

    PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    1,479
    PSMN1R1-30YLEX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 265A (Tc) 7V, 10V 1.26mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 2mA 102 nC @ 10 V ±20V 6317 pF @ 15 V - 192W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    STP15N65M5

    STP15N65M5

    MOSFET N CH 650V 11A TO220

    STMicroelectronics

    980
    STP15N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 340mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±25V 810 pF @ 100 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    PSMNR98-25YLEX

    PSMNR98-25YLEX

    PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    860
    PSMNR98-25YLEX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 255A (Tc) 7V, 10V 1.11mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 2mA 98 nC @ 10 V ±20V 6249 pF @ 12 V - 192W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    Total 36322 Record«Prev1... 164165166167168169170171...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.