БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6009END3TL1

    R6009END3TL1

    MOSFET N-CH 600V 9A TO252

    Rohm Semiconductor

    5,016
    R6009END3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    SIR846DP-T1-GE3

    SIR846DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    1,980
    SIR846DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 7.5V, 10V 7.8mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2870 pF @ 50 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RJK1054DPB-00#J5

    RJK1054DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,475
    RJK1054DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 10V 22mOhm @ 10A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    NP50P04SLG-E1-AY

    NP50P04SLG-E1-AY

    MP-3ZK

    Renesas Electronics Corporation

    3,960
    NP50P04SLG-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 10 V - 1.2W (Ta), 84W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
    SIHA12N60E-E3

    SIHA12N60E-E3

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220

    Vishay Siliconix

    923
    SIHA12N60E-E3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    SIHD186N60EF-GE3

    SIHD186N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 19A DPAK

    Vishay Siliconix

    6,140
    SIHD186N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 201mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1118 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    R6007ENXC7G

    R6007ENXC7G

    600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

    Rohm Semiconductor

    1,996
    R6007ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Ta) 10V 620mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 46W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SI4368DY-T1-E3

    SI4368DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

    Vishay Siliconix

    1,110
    SI4368DY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V ±12V 8340 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SIHF12N65E-GE3

    SIHF12N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220

    Vishay Siliconix

    993
    SIHF12N65E-GE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1224 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    IRF840ASTRLPBF

    IRF840ASTRLPBF

    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    675
    IRF840ASTRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXTP05N100

    IXTP05N100

    MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB

    Littelfuse Inc.

    300
    IXTP05N100

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 750mA (Tc) 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V 260 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    SIDR104ADP-T1-RE3

    SIDR104ADP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

    Vishay Siliconix

    5,920
    SIDR104ADP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.8A (Ta), 81A (Tc) 7.5V, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 50 V - 5.4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    IPD95R450PFD7ATMA1

    IPD95R450PFD7ATMA1

    MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,466
    IPD95R450PFD7ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 13.3A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 43 nC @ 10 V ±20V 1230 pF @ 400 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    R6006JNXC7G

    R6006JNXC7G

    MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    869
    R6006JNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V ±30V 410 pF @ 100 V - 43W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    BSC011N03LSTATMA1

    BSC011N03LSTATMA1

    MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON

    Infineon Technologies

    5,000
    BSC011N03LSTATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 39A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V ±20V 6300 pF @ 15 V - 3W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
    TK1R5R04PB,LXGQ

    TK1R5R04PB,LXGQ

    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,900
    TK1R5R04PB,LXGQ

    Техническая документация

    U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount D2PAK+
    R6009JND3TL1

    R6009JND3TL1

    MOSFET N-CH 600V 9A TO252

    Rohm Semiconductor

    2,450
    R6009JND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 15V 585mOhm @ 4.5A, 15V 7V @ 1.38mA 22 nC @ 15 V ±30V 645 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    STL18N60M2

    STL18N60M2

    MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV

    STMicroelectronics

    1,925
    STL18N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 308mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±25V 791 pF @ 100 V - 57W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
    R6020ENXC7G

    R6020ENXC7G

    600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    950
    R6020ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 68W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPA60R125CFD7XKSA1

    IPA60R125CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220

    Infineon Technologies

    729
    IPA60R125CFD7XKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 125mOhm @ 7.8A, 10V 4.5V @ 390µA 36 nC @ 10 V ±20V 1503 pF @ 400 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    Total 36322 Record«Prev1... 166167168169170171172173...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.