БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6004PND3FRATL

    R6004PND3FRATL

    MOSFET N-CH 600V 4A TO252

    Rohm Semiconductor

    4,512
    R6004PND3FRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±25V 280 pF @ 25 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    STB85NF55T4

    STB85NF55T4

    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

    STMicroelectronics

    487
    STB85NF55T4

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    NTMFS006N12MCT1G

    NTMFS006N12MCT1G

    POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN

    onsemi

    19,500
    NTMFS006N12MCT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 15A (Ta), 93A (Tc) 6V, 10V 6mOhm @ 46A, 10V 4V @ 260µA 42 nC @ 10 V ±20V 3365 pF @ 60 V - 2.7W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IPB180N04S4H0ATMA1

    IPB180N04S4H0ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

    Infineon Technologies

    1,573
    IPB180N04S4H0ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 180µA 225 nC @ 10 V ±20V 17940 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    IRFS11N50ATRLP

    IRFS11N50ATRLP

    MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB

    Vishay Siliconix

    325
    IRFS11N50ATRLP

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    RS1P600BHTB1

    RS1P600BHTB1

    NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    2,425
    RS1P600BHTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 6V, 10V 8.8mOhm @ 18A, 10V 4V @ 1mA 64 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 50 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    TK20V60W5,LVQ

    TK20V60W5,LVQ

    MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,812
    TK20V60W5,LVQ

    Техническая документация

    DTMOSIV 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 300 V - 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
    PJMD360N60EC_L2_00001

    PJMD360N60EC_L2_00001

    600V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    5,985
    PJMD360N60EC_L2_00001

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V 735 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    NVMJST1D3N04CTXG

    NVMJST1D3N04CTXG

    TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

    onsemi

    2,955
    NVMJST1D3N04CTXG

    Техническая документация

    - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 386A (Tc) 10V 1.39mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 170µA 65 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
    IPBE65R230CFD7AATMA1

    IPBE65R230CFD7AATMA1

    MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7

    Infineon Technologies

    1,931
    IPBE65R230CFD7AATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7A TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 230mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 260µA 23 nC @ 10 V ±20V 1044 pF @ 400 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3-10
    NVMFS5C638NLWFT1G

    NVMFS5C638NLWFT1G

    MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

    onsemi

    1,322
    NVMFS5C638NLWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2880 pF @ 25 V - 4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    SIHG15N80AE-GE3

    SIHG15N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC

    Vishay Siliconix

    400
    SIHG15N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    BUK7S1R5-40HJ

    BUK7S1R5-40HJ

    MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88

    Nexperia USA Inc.

    1,956
    BUK7S1R5-40HJ

    Техническая документация

    - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 260A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 93 nC @ 10 V +20V, -10V 6712 pF @ 25 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
    IPB024N08NF2SATMA1

    IPB024N08NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    604
    IPB024N08NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 107A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 85µA 133 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    R6530ENZ4C13

    R6530ENZ4C13

    650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    482
    R6530ENZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    R6530KNZ4C13

    R6530KNZ4C13

    650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

    Rohm Semiconductor

    353
    R6530KNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IPP65R155CFD7XKSA1

    IPP65R155CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    157
    IPP65R155CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 155mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1283 pF @ 400 V - 77W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IRFS7534TRLPBF

    IRFS7534TRLPBF

    MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,332
    IRFS7534TRLPBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 279 nC @ 10 V ±20V 10034 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    STH145N8F7-2AG

    STH145N8F7-2AG

    MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2

    STMicroelectronics

    1,520
    STH145N8F7-2AG

    Техническая документация

    STripFET™ F7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 90A (Tc) 10V 4mOhm @ 45A, 10V 4.5V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±20V 6340 pF @ 40 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-2
    STL320N4LF8

    STL320N4LF8

    AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

    STMicroelectronics

    5,965
    STL320N4LF8

    Техническая документация

    - 8-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    Total 36322 Record«Prev1... 175176177178179180181182...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.