БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STF5N95K3

    STF5N95K3

    MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP

    STMicroelectronics

    957
    STF5N95K3

    Техническая документация

    SuperMESH3™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 4A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 19 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPF012N06NF2SATMA1

    IPF012N06NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    245
    IPF012N06NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 41A (Ta), 282A (Tc) 6V, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 186µA 233 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
    STF16N65M5

    STF16N65M5

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,610
    STF16N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 299mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1250 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    SI7192DP-T1-GE3

    SI7192DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,895
    SI7192DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V 5800 pF @ 15 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN4R4-80BS,118

    PSMN4R4-80BS,118

    MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    6,485
    PSMN4R4-80BS,118

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 40 V - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    FDBL86566-F085

    FDBL86566-F085

    MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

    onsemi

    5,883
    FDBL86566-F085

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6655 pF @ 30 V - 300W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
    R6030ENXC7G

    R6030ENXC7G

    600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    846
    R6030ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 1mA 85 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPL65R160CFD7AUMA1

    IPL65R160CFD7AUMA1

    COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

    Infineon Technologies

    2,650
    IPL65R160CFD7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1283 pF @ 400 V - 98W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IXTP170N075T2

    IXTP170N075T2

    MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    326
    IXTP170N075T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 170A (Tc) 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 109 nC @ 10 V ±20V 6860 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R8005ANJFRGTL

    R8005ANJFRGTL

    MOSFET N-CH 800V 5A LPTS

    Rohm Semiconductor

    1,848
    R8005ANJFRGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) 10V 2.1Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±30V 500 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
    AOTF190A60L

    AOTF190A60L

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    496
    AOTF190A60L

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.6V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1935 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    SIHG17N80AEF-GE3

    SIHG17N80AEF-GE3

    E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    294
    SIHG17N80AEF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 305mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NTP6410ANG

    NTP6410ANG

    MOSFET N-CH 100V 76A TO220AB

    onsemi

    137
    NTP6410ANG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 76A (Tc) 10V 13mOhm @ 76A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPBE65R190CFD7AATMA1

    IPBE65R190CFD7AATMA1

    MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7

    Infineon Technologies

    5,785
    IPBE65R190CFD7AATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) - 190mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 7 nC @ 10 V ±20V 1291 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-11
    STB11NK50ZT4

    STB11NK50ZT4

    MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

    STMicroelectronics

    472
    STB11NK50ZT4

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10A (Tc) 10V 520mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 68 nC @ 10 V ±30V 1390 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IXTA12N50P

    IXTA12N50P

    MOSFET N-CH 500V 12A TO263

    Littelfuse Inc.

    307
    IXTA12N50P

    Техническая документация

    Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 6A, 10V 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 1830 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    FCPF650N80Z

    FCPF650N80Z

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

    onsemi

    986
    FCPF650N80Z

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 650mOhm @ 4A, 10V 4.5V @ 800µA 35 nC @ 10 V ±20V 1565 pF @ 100 V - 30.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    SIHP23N60E-GE3

    SIHP23N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 23A TO220AB

    Vishay Siliconix

    813
    SIHP23N60E-GE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 158mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V 2418 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHA120N60E-GE3

    SIHA120N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 25A TO220

    Vishay Siliconix

    994
    SIHA120N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 120mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 1562 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    R6024KNZ4C13

    R6024KNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 24A TO247

    Rohm Semiconductor

    570
    R6024KNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    Total 36322 Record«Prev1... 177178179180181182183184...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.