БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFA12N65X2

    IXFA12N65X2

    MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

    Littelfuse Inc.

    238
    IXFA12N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 310mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 18.5 nC @ 10 V ±30V 1134 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
    AOW125A60

    AOW125A60

    MOSFET N-CH 600V 28A TO262

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    7,987
    AOW125A60

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 125mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2993 pF @ 100 V - 312.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IPB180N06S4H1ATMA2

    IPB180N06S4H1ATMA2

    MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    7,667
    IPB180N06S4H1ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 4V @ 200µA 270 nC @ 10 V ±20V 21900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
    TK170V65Z,LQ

    TK170V65Z,LQ

    MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,950
    TK170V65Z,LQ

    Техническая документация

    DTMOSVI 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Ta) 10V 170mOhm @ 9A, 10V 4V @ 730µA 29 nC @ 10 V ±30V 1635 pF @ 300 V - 150W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
    SUM70030M-GE3

    SUM70030M-GE3

    MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7

    Vishay Siliconix

    1,070
    SUM70030M-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) - 3.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 214 nC @ 10 V ±20V 10870 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IPP60R160C6XKSA1

    IPP60R160C6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3

    Infineon Technologies

    488
    IPP60R160C6XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 11.3A, 10V 3.5V @ 750µA 75 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 100 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    NP109N055PUK-E1-AY

    NP109N055PUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 55V 110A TO263

    Renesas Electronics Corporation

    1,560
    NP109N055PUK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±20V 11250 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 250W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
    RX3G18BGNC16

    RX3G18BGNC16

    NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    2,896
    RX3G18BGNC16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.64mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 168 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 20 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6018VNXC7G

    R6018VNXC7G

    600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

    Rohm Semiconductor

    1,050
    R6018VNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V, 15V 204mOhm @ 4A, 15V 6.5V @ 600µA 27 nC @ 10 V ±30V 1250 pF @ 100 V - 61W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6009ENX

    R6009ENX

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    188
    R6009ENX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    RS6G120BGTB1

    RS6G120BGTB1

    NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    2,094
    RS6G120BGTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.34mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 67 nC @ 10 V ±20V 4240 pF @ 20 V - 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    IPF009N04NF2SATMA1

    IPF009N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    650
    IPF009N04NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 49A (Ta), 302A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 249µA 315 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
    IRFBE30STRLPBF

    IRFBE30STRLPBF

    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

    Vishay Siliconix

    700
    IRFBE30STRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHG180N60E-GE3

    SIHG180N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

    Vishay Siliconix

    329
    SIHG180N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 1085 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IXFP7N80P

    IXFP7N80P

    MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    299
    IXFP7N80P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 5V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±30V 1890 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STP80N240K6

    STP80N240K6

    N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,

    STMicroelectronics

    973
    STP80N240K6

    Техническая документация

    MDmesh™ K6 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 7A, 10V 4V @ 100µA 25.9 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 100 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRFS9N60ATRLPBF

    IRFS9N60ATRLPBF

    MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

    Vishay Siliconix

    950
    IRFS9N60ATRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPP60R125CFD7XKSA1

    IPP60R125CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3

    Infineon Technologies

    287
    IPP60R125CFD7XKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 7.8A, 10V 4.5V @ 390µA 36 nC @ 10 V ±20V 1503 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IXFP14N85X

    IXFP14N85X

    MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    395
    IXFP14N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 14A (Tc) 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±30V 1043 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (IXFP)
    STFU13N80K5

    STFU13N80K5

    MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP

    STMicroelectronics

    899
    STFU13N80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 450mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 29 nC @ 10 V ±30V 870 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    Total 36322 Record«Prev1... 180181182183184185186187...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.