БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STP25N80K5

    STP25N80K5

    MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220

    STMicroelectronics

    1,000
    STP25N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 19.5A (Tc) 10V 260mOhm @ 19.5A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    R6030JNZC17

    R6030JNZC17

    MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    300
    R6030JNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 15V 143mOhm @ 15A, 15V 7V @ 5.5mA 74 nC @ 15 V ±30V 2500 pF @ 100 V - 93W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    TK160F10N1,LXGQ

    TK160F10N1,LXGQ

    MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,477
    TK160F10N1,LXGQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Ta) 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 1mA 121 nC @ 10 V ±20V 8510 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
    BUK7S1R2-40HJ

    BUK7S1R2-40HJ

    MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88

    Nexperia USA Inc.

    4,578
    BUK7S1R2-40HJ

    Техническая документация

    - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 112 nC @ 10 V +20V, -10V 8420 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
    TK22A65X,S5X

    TK22A65X,S5X

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    Toshiba Semiconductor and Storage

    183
    TK22A65X,S5X

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Ta) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 3.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
    IPT022N10NF2SATMA1

    IPT022N10NF2SATMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    1,800
    IPT022N10NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 29A (Ta), 236A (Tc) 6V, 10V 2.25mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 169µA 155 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-10
    STH150N10F7-2

    STH150N10F7-2

    MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2

    STMicroelectronics

    760
    STH150N10F7-2

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V 8115 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
    IXFP38N30X3M

    IXFP38N30X3M

    MOSFET N-CH 300V 38A TO220

    Littelfuse Inc.

    2,357
    IXFP38N30X3M

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 38A (Tc) - - - 35 nC @ 10 V ±20V 2440 pF @ 25 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    R8011KNXC7G

    R8011KNXC7G

    HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11

    Rohm Semiconductor

    2,172
    R8011KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Ta) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4.5V @ 5.5mA 37 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 100 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IXTP3N100P

    IXTP3N100P

    MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    263
    IXTP3N100P

    Техническая документация

    Polar P3™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3A (Tc) 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXFP36N20X3

    IXFP36N20X3

    MOSFET N-CH 200V 36A TO220

    Littelfuse Inc.

    154
    IXFP36N20X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 36A (Tc) 10V 45mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    FCPF190N60

    FCPF190N60

    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

    onsemi

    635
    FCPF190N60

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 199mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IRF644STRRPBF

    IRF644STRRPBF

    MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

    Vishay Siliconix

    605
    IRF644STRRPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 280mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NTPF250N65S3H

    NTPF250N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    496
    NTPF250N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13A (Tj) 10V 250mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1.1mA 24 nC @ 10 V ±30V 1261 pF @ 400 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IXFH34N50P3

    IXFH34N50P3

    MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD

    IXYS

    292
    IXFH34N50P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 34A (Tc) 10V 170mOhm @ 17A, 10V 5V @ 4mA 60 nC @ 10 V ±30V 3260 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    R6018JNXC7G

    R6018JNXC7G

    MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    2,795
    R6018JNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 15V 286mOhm @ 9A, 15V 7V @ 4.2mA 42 nC @ 15 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 72W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPP60R120C7XKSA1

    IPP60R120C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3

    Infineon Technologies

    622
    IPP60R120C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 120mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STL26N60DM6

    STL26N60DM6

    MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV

    STMicroelectronics

    2,997
    STL26N60DM6

    Техническая документация

    MDmesh™ DM6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 215mOhm @ 7.5A, 10V 4.75V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±25V 940 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    IPB024N08N5ATMA1

    IPB024N08N5ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    990
    IPB024N08N5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 154µA 123 nC @ 10 V ±20V 8970 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPW65R155CFD7XKSA1

    IPW65R155CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    240
    IPW65R155CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 155mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1283 pF @ 400 V - 77W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    Total 36322 Record«Prev1... 181182183184185186187188...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.