БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FCMT250N65S3

    FCMT250N65S3

    MOSFET N-CH 650V 12A POWER88

    onsemi

    3,000
    FCMT250N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 250mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 1.2mA 24 nC @ 10 V ±30V 1010 pF @ 400 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power88
    SIHG24N80AE-GE3

    SIHG24N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC

    Vishay Siliconix

    460
    SIHG24N80AE-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 21A (Tc) - 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 1836 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    R6020JNZ4C13

    R6020JNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 20A TO247G

    Rohm Semiconductor

    355
    R6020JNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 15V 234mOhm @ 10A, 15V 7V @ 3.5mA 45 nC @ 15 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 252W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IXFP22N65X2M

    IXFP22N65X2M

    MOSFET N-CH 650V 22A TO220

    Littelfuse Inc.

    296
    IXFP22N65X2M

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 145mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1.5mA 37 nC @ 10 V ±30V 2190 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    R8005ANJGTL

    R8005ANJGTL

    NCH 800V 5A POWER MOSFET : R8005

    Rohm Semiconductor

    1,984
    R8005ANJGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) 10V 2.1Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±30V 500 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
    IXTA75N10P

    IXTA75N10P

    MOSFET N-CH 100V 75A TO263

    Littelfuse Inc.

    844
    IXTA75N10P

    Техническая документация

    Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V 2250 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    NTP095N65S3H

    NTP095N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    785
    NTP095N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 95mOhm @ 15A, 10V 4V @ 2.8mA 58 nC @ 10 V ±30V 2833 pF @ 400 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXTA50N20P

    IXTA50N20P

    MOSFET N-CH 200V 50A TO263

    IXYS

    297
    IXTA50N20P

    Техническая документация

    Polar TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 50A (Tc) 10V 60mOhm @ 50A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 2720 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA
    IXTQ36N30P

    IXTQ36N30P

    MOSFET N-CH 300V 36A TO3P

    Littelfuse Inc.

    165
    IXTQ36N30P

    Техническая документация

    PolarHT™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 36A (Tc) 10V 110mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 2250 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    STF15N95K5

    STF15N95K5

    MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP

    STMicroelectronics

    991
    STF15N95K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 12A (Tc) 10V 500mOhm @ 6A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    STP19NM50N

    STP19NM50N

    MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB

    STMicroelectronics

    972
    STP19NM50N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 250mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXFP4N85X

    IXFP4N85X

    MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFP4N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 3.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V 5.5V @ 250µA 7 nC @ 10 V ±30V 247 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (IXFP)
    NVB150N65S3F

    NVB150N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3

    onsemi

    1,483
    NVB150N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 5V @ 540µA 43 nC @ 10 V ±30V 1999 pF @ 400 V - 192W -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPP60R105CFD7XKSA1

    IPP60R105CFD7XKSA1

    MOSFET N CH

    Infineon Technologies

    157
    IPP60R105CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 105mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 470µA 42 nC @ 10 V ±20V 1752 pF @ 400 V - 106W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STF33N60DM6

    STF33N60DM6

    MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP

    STMicroelectronics

    505
    STF33N60DM6

    Техническая документация

    MDmesh™ M6 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 128mOhm @ 12.5A, 10V 4.75V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1500 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IXFP18N65X2

    IXFP18N65X2

    MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    298
    IXFP18N65X2

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 200mOhm @ 9A, 10V 5V @ 1.5mA 29 nC @ 10 V ±30V 1520 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FCP110N65F

    FCP110N65F

    MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3

    onsemi

    793
    FCP110N65F

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 3.5mA 145 nC @ 10 V ±20V 4895 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STL31N65M5

    STL31N65M5

    MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88

    STMicroelectronics

    2,862
    STL31N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 2.8A (Ta), 15A (Tc) 10V 162mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1865 pF @ 100 V - 2.8W (Ta), 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    AUIRFR4620TRL

    AUIRFR4620TRL

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

    Infineon Technologies

    5,650
    AUIRFR4620TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 78mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    R6018JNJGTL

    R6018JNJGTL

    MOSFET N-CH 600V 18A LPTS

    Rohm Semiconductor

    502
    R6018JNJGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 15V 286mOhm @ 9A, 15V 7V @ 4.2mA 42 nC @ 15 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 220W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    Total 36322 Record«Prev1... 184185186187188189190191...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.