БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SIHK185N60EF-T1GE3

    SIHK185N60EF-T1GE3

    EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    2,000
    SIHK185N60EF-T1GE3

    Техническая документация

    EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 193mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1081 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    STB14NK60ZT4

    STB14NK60ZT4

    MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK

    STMicroelectronics

    250
    STB14NK60ZT4

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13.5A (Tc) 10V 500mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 100µA 75 nC @ 10 V ±30V 2220 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    AOB29S50L

    AOB29S50L

    MOSFET N-CH 500V 29A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    840
    AOB29S50L

    Техническая документация

    aMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 29A (Tc) 10V 150mOhm @ 14.5A, 10V 3.9V @ 250µA 26.6 nC @ 10 V ±30V 1312 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPP60R090CFD7XKSA1

    IPP60R090CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3

    Infineon Technologies

    462
    IPP60R090CFD7XKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 90mOhm @ 11.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STP15N80K5

    STP15N80K5

    MOSFET N-CH 800V 14A TO220

    STMicroelectronics

    448
    STP15N80K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 375mOhm @ 7A, 10V 5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    FDPF4D5N10C

    FDPF4D5N10C

    MOSFET N-CH 100V 128A TO220F

    onsemi

    7,341
    FDPF4D5N10C

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 128A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 310µA 68 nC @ 10 V ±20V 5065 pF @ 50 V - 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    NP110N055PUK-E1-AY

    NP110N055PUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 55V 110A TO263

    Renesas Electronics Corporation

    799
    NP110N055PUK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 1.75mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 294 nC @ 10 V ±20V 16050 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 348W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
    STW50N65DM2AG

    STW50N65DM2AG

    MOSFET N-CH 650V 28A TO247

    STMicroelectronics

    596
    STW50N65DM2AG

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 87mOhm @ 19A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 3200 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IPB80N08S207ATMA1

    IPB80N08S207ATMA1

    MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    409
    IPB80N08S207ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 7.1mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    SIHH14N60EF-T1-GE3

    SIHH14N60EF-T1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    3,000
    SIHH14N60EF-T1-GE3

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 266mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V 1449 pF @ 100 V - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    STF21N65M5

    STF21N65M5

    MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP

    STMicroelectronics

    315
    STF21N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1950 pF @ 100 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    FCPF290N80

    FCPF290N80

    MOSFET N-CH 800V 17A TO220F

    onsemi

    665
    FCPF290N80

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 75 nC @ 10 V ±20V 3205 pF @ 100 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    NTB011N15MC

    NTB011N15MC

    NTB011N15MC

    onsemi

    760
    NTB011N15MC

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 12.5A (Ta), 75.4A (Tc) 8V, 10V 10.9mOhm @ 41A, 10V 4.5V @ 223µA 37 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 75 V - 3.75W (Ta), 136.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHG21N80AE-GE3

    SIHG21N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC

    Vishay Siliconix

    485
    SIHG21N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17.4A (Tc) 10V 235mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 1388 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IPB100N12S305ATMA1

    IPB100N12S305ATMA1

    MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    3,882
    IPB100N12S305ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 100A (Tc) 10V 5.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 240µA 185 nC @ 10 V ±20V 11570 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-1
    FCMT180N65S3

    FCMT180N65S3

    MOSFET N-CH 650V 17A POWER88

    onsemi

    1,515
    FCMT180N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.8mA 33 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 400 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power88
    SPP24N60C3XKSA1

    SPP24N60C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3

    Infineon Technologies

    126
    SPP24N60C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24.3A (Tc) 10V 160mOhm @ 15.4A, 10V 3.9V @ 1.2mA 135 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPT063N15N5ATMA1

    IPT063N15N5ATMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOF-8

    Infineon Technologies

    3,916
    IPT063N15N5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 8V, 10V 6.3mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 153µA 59 nC @ 10 V ±20V 4550 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8
    STP42N60M2-EP

    STP42N60M2-EP

    MOSFET N-CH 600V 34A TO220

    STMicroelectronics

    1,000
    STP42N60M2-EP

    Техническая документация

    MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 87mOhm @ 17A, 10V 4.75V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±25V 2370 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STP20NM50FD

    STP20NM50FD

    MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

    STMicroelectronics

    986
    STP20NM50FD

    Техническая документация

    FDmesh™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1380 pF @ 25 V - 192W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    Total 36322 Record«Prev1... 187188189190191192193194...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.