БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NP180N055TUK-E1-AY

    NP180N055TUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 55V 180A TO263-7

    Renesas Electronics Corporation

    2,182
    NP180N055TUK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 180A (Tc) 10V 1.4mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 294 nC @ 10 V ±20V 16050 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 348W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    NTMTS0D6N04CTXG

    NTMTS0D6N04CTXG

    MOSFET N-CH 40V 533A

    onsemi

    8,417
    NTMTS0D6N04CTXG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 533A (Tc) 10V 0.48mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 187 nC @ 10 V ±20V 11800 pF @ 20 V - 5W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    SIHB21N65EF-GE3

    SIHB21N65EF-GE3

    MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

    Vishay Siliconix

    143
    SIHB21N65EF-GE3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 21A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±30V 2322 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STW65N60DM6

    STW65N60DM6

    MOSFET N-CH 600V 38A TO247

    STMicroelectronics

    592
    STW65N60DM6

    Техническая документация

    MDmesh™ DM6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) - - - - ±25V - - - - - - Through Hole TO-247-3
    IPL60R104C7AUMA1

    IPL60R104C7AUMA1

    MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON

    Infineon Technologies

    8,897
    IPL60R104C7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 104mOhm @ 9.7A, 10V 4V @ 490µA 42 nC @ 10 V ±20V 1819 pF @ 400 V - 122W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPTG063N15NM5ATMA1

    IPTG063N15NM5ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    1,774
    IPTG063N15NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 8V, 10V 6.3mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 163µA 63 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8
    FDP054N10

    FDP054N10

    MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

    onsemi

    676
    FDP054N10

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 250µA 203 nC @ 10 V ±20V 13280 pF @ 25 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R6025JNXC7G

    R6025JNXC7G

    MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    1,961
    R6025JNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 15V 182mOhm @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57 nC @ 15 V ±30V 1900 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    NTMT190N65S3H

    NTMT190N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    2,064
    NTMT190N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16A (Tc) 10V 190mOhm @ 8A, 10V 4V @ 1.4mA 31 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 400 V - 129W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-TDFN (8x8)
    SQJ456EP-T1_GE3

    SQJ456EP-T1_GE3

    MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    4,408
    SQJ456EP-T1_GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Tc) 6V, 10V 26mOhm @ 9.3A, 10V 3.5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 3342 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    AUIRFP4110

    AUIRFP4110

    MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC

    Infineon Technologies

    340
    AUIRFP4110

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 9620 pF @ 50 V - 370W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    R8007AND3FRATL

    R8007AND3FRATL

    MOSFET N-CH 800V 7A TO252

    Rohm Semiconductor

    4,914
    R8007AND3FRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 3.5A, 10V 5V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±30V 850 pF @ 25 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    STL26NM60N

    STL26NM60N

    MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    2,609
    STL26NM60N

    Техническая документация

    MDmesh™ II 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.7A (Ta), 19A (Tc) 10V 185mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 50 V - 125mW (Ta), 3W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    SIHB120N60E-GE3

    SIHB120N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

    Vishay Siliconix

    906
    SIHB120N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 120mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 1562 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STH270N8F7-2

    STH270N8F7-2

    MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK

    STMicroelectronics

    480
    STH270N8F7-2

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 50 V - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK
    STF13N95K3

    STF13N95K3

    MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP

    STMicroelectronics

    975
    STF13N95K3

    Техническая документация

    SuperMESH3™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 10A (Tc) 10V 850mOhm @ 5A, 10V 5V @ 100µA 51 nC @ 10 V ±30V 1620 pF @ 100 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    TK090U65Z,RQ

    TK090U65Z,RQ

    DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,118
    TK090U65Z,RQ

    Техническая документация

    DTMOSVI 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Ta) 10V 90mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47 nC @ 10 V ±30V 2780 pF @ 300 V - 230W (Tc) 150°C - - Surface Mount TOLL
    NTHL110N65S3F

    NTHL110N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

    onsemi

    895
    NTHL110N65S3F

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 110mOhm @ 15A, 10V 5V @ 3mA 58 nC @ 10 V ±30V 2560 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPW60R125C6FKSA1

    IPW60R125C6FKSA1

    MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

    Infineon Technologies

    272
    IPW60R125C6FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    FCH110N65F-F155

    FCH110N65F-F155

    MOSFET N-CH 650V 35A TO247

    onsemi

    761
    FCH110N65F-F155

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 3.5mA 145 nC @ 10 V ±20V 4895 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    Total 36322 Record«Prev1... 189190191192193194195196...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.