БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RJ1G12BGNTLL

    RJ1G12BGNTLL

    MOSFET N-CH 40V 120A LPTL

    Rohm Semiconductor

    664
    RJ1G12BGNTLL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.86mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 2mA 165 nC @ 10 V ±20V 12500 pF @ 20 V - 178W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTL
    IRFP260PBF

    IRFP260PBF

    MOSFET N-CH 200V 46A TO247-3

    Vishay Siliconix

    292
    IRFP260PBF

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 46A (Tc) 10V 55mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5200 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IPW65R110CFD7XKSA1

    IPW65R110CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    221
    IPW65R110CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 480µA 41 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 400 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    STF33N60DM2

    STF33N60DM2

    MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP

    STMicroelectronics

    3,643
    STF33N60DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 130mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±25V 1870 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    SIHA17N80E-GE3

    SIHA17N80E-GE3

    N-CHANNEL 800V

    Vishay Siliconix

    1,980
    SIHA17N80E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2408 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    IPB60R099C7ATMA1

    IPB60R099C7ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 22A TO263-3

    Infineon Technologies

    1,000
    IPB60R099C7ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 99mOhm @ 9.7A, 10V 4V @ 490µA 42 nC @ 10 V ±20V 1819 pF @ 400 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    NTP150N65S3HF

    NTP150N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3

    onsemi

    745
    NTP150N65S3HF

    Техническая документация

    FRFET®, SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 150mOhm @ 12A, 10V 5V @ 540µA 43 nC @ 10 V ±30V 1985 pF @ 400 V - 192W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R6020KNXC7G

    R6020KNXC7G

    600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    769
    R6020KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 68W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SIHG125N60EF-GE3

    SIHG125N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

    Vishay Siliconix

    500
    SIHG125N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±30V 1533 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    FDBL0090N40

    FDBL0090N40

    MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

    onsemi

    200
    FDBL0090N40

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 188 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 25 V - 357W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    STH320N4F6-6

    STH320N4F6-6

    MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6

    STMicroelectronics

    976
    STH320N4F6-6

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 13800 pF @ 15 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-6
    R6024VNXC7G

    R6024VNXC7G

    600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

    Rohm Semiconductor

    1,070
    R6024VNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V, 15V 153mOhm @ 6A, 15V 6.5V @ 700µA 38 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 100 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    STB35N65DM2

    STB35N65DM2

    MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK

    STMicroelectronics

    971
    STB35N65DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 110mOhm @ 14A, 10V 5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±25V 2400 pF @ 100 V - 210W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IXTP24N65X2

    IXTP24N65X2

    MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    259
    IXTP24N65X2

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 2060 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPL60R085P7AUMA1

    IPL60R085P7AUMA1

    MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON

    Infineon Technologies

    238
    IPL60R085P7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 39A (Tc) 10V 85mOhm @ 11.8A, 10V 4V @ 590µA 51 nC @ 10 V ±20V 2180 pF @ 400 V - 154W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    STB9NK90Z

    STB9NK90Z

    MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK

    STMicroelectronics

    680
    STB9NK90Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 8A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 100µA 72 nC @ 10 V ±30V 2115 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IXTP86N20T

    IXTP86N20T

    MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    346
    IXTP86N20T

    Техническая документация

    Trench TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 86A (Tc) 10V 29mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 1mA 90 nC @ 10 V ±30V 4500 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R8008ANJFRGTL

    R8008ANJFRGTL

    MOSFET N-CH 800V 8A LPTS

    Rohm Semiconductor

    970
    R8008ANJFRGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 1.03Ohm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 38 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 195W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
    SUP40N25-60-E3

    SUP40N25-60-E3

    MOSFET N-CH 250V 40A TO220AB

    Vishay Siliconix

    466
    SUP40N25-60-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 40A (Tc) 6V, 10V 60mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±30V 5000 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TK28V65W,LQ

    TK28V65W,LQ

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,966
    TK28V65W,LQ

    Техническая документация

    - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 27.6A (Ta) 10V 120mOhm @ 13.8A, 10V 3.5V @ 1.6mA 75 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 300 V - 240W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
    Total 36322 Record«Prev1... 188189190191192193194195...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.