БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STF33N65M2

    STF33N65M2

    MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP

    STMicroelectronics

    180
    STF33N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 140mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 41.5 nC @ 10 V ±25V 1790 pF @ 100 V - 34W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    STW10N95K5

    STW10N95K5

    MOSFET N-CH 950V 8A TO247

    STMicroelectronics

    461
    STW10N95K5

    Техническая документация

    SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 8A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V ±30V 630 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    R6055VNXC7G

    R6055VNXC7G

    600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

    Rohm Semiconductor

    1,013
    R6055VNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V, 15V 71mOhm @ 16A, 15V 6.5V @ 1.5mA 80 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 100 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6035KNZC17

    R6035KNZC17

    MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    277
    R6035KNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    R6035ENZC17

    R6035ENZC17

    MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    266
    R6035ENZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 2720 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    R6024ENJTL

    R6024ENJTL

    MOSFET N-CH 600V 24A LPTS

    Rohm Semiconductor

    821
    R6024ENJTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 1mA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    IXFP36N20X3M

    IXFP36N20X3M

    MOSFET N-CH 200V 36A TO220

    IXYS

    292
    IXFP36N20X3M

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 36A (Tc) 10V 45mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    NVMJST1D2N04CTXG

    NVMJST1D2N04CTXG

    TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

    onsemi

    2,900
    NVMJST1D2N04CTXG

    Техническая документация

    - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 451A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 50A, 10V 4V @ 200µA 82 nC @ 10 V ±20V 5340 pF @ 20 V - 454W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
    STP12NK80Z

    STP12NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB

    STMicroelectronics

    2,626
    STP12NK80Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10.5A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.25A, 10V 4.5V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±30V 2620 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NVB190N65S3F

    NVB190N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

    onsemi

    622
    NVB190N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 430µA 34 nC @ 10 V ±30V 1605 pF @ 400 V - 162W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHB105N60EF-GE3

    SIHB105N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

    Vishay Siliconix

    5,591
    SIHB105N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 102mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1804 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6015ENXC7G

    R6015ENXC7G

    600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    1,000
    R6015ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6515ENXC7G

    R6515ENXC7G

    650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    1,000
    R6515ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 315mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 430µA 40 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPB030N08N3GATMA1

    IPB030N08N3GATMA1

    MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

    Infineon Technologies

    2,493
    IPB030N08N3GATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 160A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 155µA 117 nC @ 10 V ±20V 8110 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    IXTP14N60P

    IXTP14N60P

    MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    177
    IXTP14N60P

    Техническая документация

    Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 550mOhm @ 7A, 10V 5.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IAUS240N08S5N019ATMA1

    IAUS240N08S5N019ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8

    Infineon Technologies

    2,481
    IAUS240N08S5N019ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 240A (Tc) 6V, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 160µA 130 nC @ 10 V ±20V 9264 pF @ 40 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-8-1
    STW12NK80Z

    STW12NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 10.5A TO247-3

    STMicroelectronics

    295
    STW12NK80Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10.5A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.25A, 10V 4.5V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±30V 2620 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    BUK763R8-80E,118

    BUK763R8-80E,118

    MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    4,772
    BUK763R8-80E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 169 nC @ 10 V ±20V 12030 pF @ 25 V - 357W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    R6030KNX

    R6030KNX

    MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    490
    R6030KNX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPW60R145CFD7XKSA1

    IPW60R145CFD7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

    Infineon Technologies

    4,406
    IPW60R145CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 145mOhm @ 6.8A, 10V 4V @ 340µA 31 nC @ 10 V ±20V 1330 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    Total 36322 Record«Prev1... 182183184185186187188189...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.