БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFS59N10DPBF

    IRFS59N10DPBF

    MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,869
    IRFS59N10DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 25mOhm @ 35.4A, 10V 5.5V @ 250µA 114 nC @ 10 V ±30V 2450 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL520NSPBF

    IRL520NSPBF

    MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,752
    IRL520NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 4V, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 440 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL3202PBF

    IRL3202PBF

    MOSFET N-CH 20V 48A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,154
    IRL3202PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 48A (Tc) 4.5V, 7V 16mOhm @ 29A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 43 nC @ 4.5 V ±10V 2000 pF @ 15 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL3714SPBF

    IRL3714SPBF

    MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,513
    IRL3714SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLZ44ZSPBF

    IRLZ44ZSPBF

    MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,105
    IRLZ44ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFU1205PBF

    IRFU1205PBF

    MOSFET N-CH 55V 44A IPAK

    Infineon Technologies

    3,988
    IRFU1205PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 44A (Tc) 10V 27mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFIZ46NPBF

    IRFIZ46NPBF

    MOSFET N-CH 55V 33A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    4,622
    IRFIZ46NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 33A (Tc) 10V 20mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRFZ46NSPBF

    IRFZ46NSPBF

    MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,147
    IRFZ46NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 53A (Tc) 10V 16.5mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1696 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) - - - Surface Mount D2PAK
    IRL540NSPBF

    IRL540NSPBF

    MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,872
    IRL540NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 4V, 10V 44mOhm @ 18A, 10V 2V @ 250µA 74 nC @ 5 V ±16V 1800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLI2910PBF

    IRLI2910PBF

    MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    7,917
    IRLI2910PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31A (Tc) 4V, 10V 26mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±16V 3700 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRFL1006PBF

    IRFL1006PBF

    MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

    Infineon Technologies

    3,971
    IRFL1006PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 220mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V 160 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRFZ46ZSPBF

    IRFZ46ZSPBF

    MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,103
    IRFZ46ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.6mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1460 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLI3803PBF

    IRLI3803PBF

    MOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    4,605
    IRLI3803PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 76A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRLU3802PBF

    IRLU3802PBF

    MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK

    Infineon Technologies

    6,715
    IRLU3802PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 84A (Tc) 2.8V, 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±12V 2490 pF @ 6 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRFL024NPBF

    IRFL024NPBF

    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

    Infineon Technologies

    9,762
    IRFL024NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRFU13N20DPBF

    IRFU13N20DPBF

    MOSFET N-CH 200V 13A IPAK

    Infineon Technologies

    2,663
    IRFU13N20DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13A (Tc) 10V 235mOhm @ 8A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 830 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU6215PBF

    IRFU6215PBF

    MOSFET P-CH 150V 13A IPAK

    Infineon Technologies

    6,029
    IRFU6215PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRF2807ZLPBF

    IRF2807ZLPBF

    MOSFET N-CH 75V 75A TO262

    Infineon Technologies

    4,159
    IRF2807ZLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRL3402PBF

    IRL3402PBF

    MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,707
    IRL3402PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 85A (Tc) 4.5V, 7V 8mOhm @ 51A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 78 nC @ 4.5 V ±10V 3300 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFPS37N50APBF

    IRFPS37N50APBF

    MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247

    Infineon Technologies

    5,061
    IRFPS37N50APBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-274AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 36A (Tc) 10V 130mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±30V 5579 pF @ 25 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.