БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF7842PBF

    IRF7842PBF

    MOSFET N-CH 40V 18A 8SO

    Infineon Technologies

    3,168
    IRF7842PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 18A (Ta) 4.5V, 10V 5mOhm @ 17A, 10V 2.25V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 4500 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7492PBF

    IRF7492PBF

    MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

    Infineon Technologies

    3,523
    IRF7492PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.7A (Ta) 10V 79mOhm @ 2.2A, 10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 1820 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7406PBF

    IRF7406PBF

    MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO

    Infineon Technologies

    6,108
    IRF7406PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 5.8A (Ta) 4.5V, 10V 45mOhm @ 2.8A, 10V 1V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7494PBF

    IRF7494PBF

    MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO

    Infineon Technologies

    9,974
    IRF7494PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 5.1A (Ta) 10V 44mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±20V 1783 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7241PBF

    IRF7241PBF

    MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO

    Infineon Technologies

    5,547
    IRF7241PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 6.2A (Ta) 4.5V, 10V 41mOhm @ 6.2A, 10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 3220 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7478PBF

    IRF7478PBF

    MOSFET N-CH 60V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    3,814
    IRF7478PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 26mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 1740 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7401PBF

    IRF7401PBF

    MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO

    Infineon Technologies

    8,428
    IRF7401PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 22mOhm @ 4.1A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 48 nC @ 4.5 V ±12V 1600 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7469PBF

    IRF7469PBF

    MOSFET N-CH 40V 9A 8SO

    Infineon Technologies

    4,698
    IRF7469PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 9A (Ta) 4.5V, 10V 17mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2000 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7807D2PBF

    IRF7807D2PBF

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,208
    IRF7807D2PBF

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±12V - Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7807PBF

    IRF7807PBF

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,946
    IRF7807PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Tc) - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7465PBF

    IRF7465PBF

    MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO

    Infineon Technologies

    2,105
    IRF7465PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 1.9A (Ta) 10V 280mOhm @ 1.14A, 10V 5.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 330 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7484PBF

    IRF7484PBF

    MOSFET N-CH 40V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    9,687
    IRF7484PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 14A (Ta) 7V 10mOhm @ 14A, 7V 2V @ 250µA 100 nC @ 7 V ±8V 3520 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7402PBF

    IRF7402PBF

    MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO

    Infineon Technologies

    8,120
    IRF7402PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.8A (Ta) 2.7V, 4.5V 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 650 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7477PBF

    IRF7477PBF

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    9,539
    IRF7477PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±20V 2710 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7471PBF

    IRF7471PBF

    MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    5,335
    IRF7471PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 32 nC @ 4.5 V ±20V 2820 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7204PBF

    IRF7204PBF

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

    Infineon Technologies

    4,058
    IRF7204PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.3A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 5.3A, 10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±12V 860 pF @ 10 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF9410PBF

    IRF9410PBF

    MOSFET N-CH 30V 7A 8SO

    Infineon Technologies

    2,286
    IRF9410PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 10V 30mOhm @ 7A, 10V 1V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7403PBF

    IRF7403PBF

    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO

    Infineon Technologies

    5,256
    IRF7403PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.5A (Ta) 4.5V, 10V 22mOhm @ 4A, 10V 1V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7488PBF

    IRF7488PBF

    MOSFET N-CH 80V 6.3A 8SO

    Infineon Technologies

    9,423
    IRF7488PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 6.3A (Ta) 10V 29mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 250µA 57 nC @ 10 V ±20V 1680 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) - - - Surface Mount 8-SO
    IRF7353D2PBF

    IRF7353D2PBF

    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

    Infineon Technologies

    5,347
    IRF7353D2PBF

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.