БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NDS0610_NL

    NDS0610_NL

    MOSFET P-CH 60V 120MA SOT23-3

    onsemi

    8,961
    NDS0610_NL

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120mA (Ta) 4.5V, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA 2.5 nC @ 10 V ±20V 79 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
    HAT2096H-EL-E

    HAT2096H-EL-E

    MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    6,005
    HAT2096H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 20A, 10V - 40 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 10 V - 20W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2099H-EL-E

    HAT2099H-EL-E

    MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    9,141
    HAT2099H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 25A, 10V - 75 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 10 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    HAT2116H-EL-E

    HAT2116H-EL-E

    MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    9,692
    HAT2116H-EL-E

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta) 4.5V, 10V 8.2mOhm @ 15A, 10V - 26 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 10 V - 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    TPCA8007-H(TE12L,Q

    TPCA8007-H(TE12L,Q

    MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA

    Toshiba Semiconductor and Storage

    3,037
    TPCA8007-H(TE12L,Q

    Техническая документация

    * - Cut Tape (CT) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    TPCA8009-H(TE12L,Q

    TPCA8009-H(TE12L,Q

    MOSFET N-CH 150V 7A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,110
    TPCA8009-H(TE12L,Q

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 7A (Ta) 10V 350mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 1mA 10 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    IRFB4212PBF

    IRFB4212PBF

    MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,439
    IRFB4212PBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Tc) 10V 72.5mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 50 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF2907ZS-7PPBF

    IRF2907ZS-7PPBF

    MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,867
    IRF2907ZS-7PPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 160A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 110A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 7580 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    IRF7416PBF

    IRF7416PBF

    MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    2,016
    IRF7416PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 5.6A, 10V 1V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    62-0063PBF

    62-0063PBF

    MOSFET N-CH 12V 15A 8SO

    Infineon Technologies

    5,481
    62-0063PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 15A (Ta) 2.8V, 4.5V 8mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±12V 2550 pF @ 6 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFS52N15DPBF

    IRFS52N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,358
    IRFS52N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 51A (Tc) 10V 32mOhm @ 36A, 10V 5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V 2770 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STF10NK50Z

    STF10NK50Z

    MOSFET N-CH 500V 9A TO220FP

    STMicroelectronics

    6,347
    STF10NK50Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 700mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 100µA 39.2 nC @ 10 V ±30V 1219 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF1902PBF

    IRF1902PBF

    MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

    Infineon Technologies

    3,662
    IRF1902PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 2.7V, 4.5V 85mOhm @ 4A, 4.5V 700mV @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V ±12V 310 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFU3707ZPBF

    IRFU3707ZPBF

    MOSFET N-CH 30V 56A IPAK

    Infineon Technologies

    5,270
    IRFU3707ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 56A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V 2.25V @ 25µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1150 pF @ 15 V - 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU3704ZPBF

    IRFU3704ZPBF

    MOSFET N-CH 20V 60A IPAK

    Infineon Technologies

    5,366
    IRFU3704ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 8.4mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1190 pF @ 10 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU3709ZPBF

    IRFU3709ZPBF

    MOSFET N-CH 30V 86A IPAK

    Infineon Technologies

    9,017
    IRFU3709ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 86A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 15A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2330 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRF7828PBF

    IRF7828PBF

    MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO

    Infineon Technologies

    2,989
    IRF7828PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13.6A (Ta) 4.5V 12.5mOhm @ 10A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±20V 1010 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF3704ZPBF

    IRF3704ZPBF

    MOSFET N-CH 20V 67A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,896
    IRF3704ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 67A (Tc) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 21A, 10V 2.55V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1220 pF @ 10 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3704ZSPBF

    IRF3704ZSPBF

    MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,513
    IRF3704ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 67A (Tc) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 21A, 10V 2.55V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V ±20V 1220 pF @ 10 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLR9343PBF

    IRLR9343PBF

    MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

    Infineon Technologies

    8,877
    IRLR9343PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 50 V - 79W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.