БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF7466PBF

    IRF7466PBF

    MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

    Infineon Technologies

    4,469
    IRF7466PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2100 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7452PBF

    IRF7452PBF

    MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO

    Infineon Technologies

    4,301
    IRF7452PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.5A (Ta) 10V 60mOhm @ 2.7A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7807VD2PBF

    IRF7807VD2PBF

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

    Infineon Technologies

    6,101
    IRF7807VD2PBF

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V - Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    SI4420DYPBF

    SI4420DYPBF

    MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO

    Infineon Technologies

    7,603
    SI4420DYPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.5A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 12.5A, 10V 1V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 2240 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7475PBF

    IRF7475PBF

    MOSFET N-CH 12V 11A 8SO

    Infineon Technologies

    9,709
    IRF7475PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 11A (Ta) 2.8V, 4.5V 15mOhm @ 8.8A, 4.5V 2V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±12V 1590 pF @ 6 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7467PBF

    IRF7467PBF

    MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

    Infineon Technologies

    7,740
    IRF7467PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 2.8V, 10V 12mOhm @ 11A, 10V 2V @ 250µA 32 nC @ 4.5 V ±12V 2530 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7490PBF

    IRF7490PBF

    MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO

    Infineon Technologies

    7,574
    IRF7490PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.4A (Ta) 10V 39mOhm @ 3.2A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7420PBF

    IRF7420PBF

    MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO

    Infineon Technologies

    4,651
    IRF7420PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 11.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±8V 3529 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7464PBF

    IRF7464PBF

    MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

    Infineon Technologies

    6,531
    IRF7464PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.2A (Ta) 10V 730mOhm @ 720mA, 10V 5.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7807APBF

    IRF7807APBF

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

    Infineon Technologies

    8,701
    IRF7807APBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 17 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFB4610

    IRFB4610

    MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,916
    IRFB4610

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 73A (Tc) 10V 14mOhm @ 44A, 10V 4V @ 100µA 140 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 50 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF7413PBF

    IRF7413PBF

    MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

    Infineon Technologies

    9,474
    IRF7413PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 7.3A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7205PBF

    IRF7205PBF

    MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO

    Infineon Technologies

    3,626
    IRF7205PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Ta) 4.5V, 10V 70mOhm @ 4.6A, 10V 3V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 10 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRL3716LPBF

    IRL3716LPBF

    MOSFET N-CH 20V 180A TO262

    Infineon Technologies

    3,708
    IRL3716LPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 5090 pF @ 10 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF7424PBF

    IRF7424PBF

    MOSFET P-CH 30V 11A 8SO

    Infineon Technologies

    5,662
    IRF7424PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 11A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 4030 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7453PBF

    IRF7453PBF

    MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO

    Infineon Technologies

    7,185
    IRF7453PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Ta) 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7456PBF

    IRF7456PBF

    MOSFET N-CH 20V 16A 8SO

    Infineon Technologies

    8,940
    IRF7456PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 16A (Ta) 2.8V, 10V 6.5mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 62 nC @ 5 V ±12V 3640 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7450PBF

    IRF7450PBF

    MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO

    Infineon Technologies

    5,147
    IRF7450PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.5A (Ta) 10V 170mOhm @ 1.5A, 10V 5.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 940 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7460PBF

    IRF7460PBF

    MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

    Infineon Technologies

    4,915
    IRF7460PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 2050 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7322D1PBF

    IRF7322D1PBF

    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

    Infineon Technologies

    7,136
    IRF7322D1PBF

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.3A (Ta) 2.7V, 4.5V 62mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 29 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.