БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRL3713PBF

    IRL3713PBF

    MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,182
    IRL3713PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 260A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 38A, 10V 2.5V @ 250µA 110 nC @ 4.5 V ±20V 5890 pF @ 15 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL3714ZSPBF

    IRL3714ZSPBF

    MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,729
    IRL3714ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 nC @ 4.5 V ±20V 550 pF @ 10 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL3715ZSPBF

    IRL3715ZSPBF

    MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,101
    IRL3715ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V ±20V 870 pF @ 10 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF1405SPBF

    IRF1405SPBF

    MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,316
    IRF1405SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 131A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFBA90N20DPBF

    IRFBA90N20DPBF

    MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220

    Infineon Technologies

    7,277
    IRFBA90N20DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 98A (Tc) 10V 23mOhm @ 59A, 10V 5V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±30V 6080 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
    IRFPS3810PBF

    IRFPS3810PBF

    MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

    Infineon Technologies

    7,438
    IRFPS3810PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170A (Tc) 10V 9mOhm @ 100A, 10V 5V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±30V 6790 pF @ 25 V - 580W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    IRF1312PBF

    IRF1312PBF

    MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,362
    IRF1312PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 95A (Tc) 10V 10mOhm @ 57A, 10V 5.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 5450 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL3716PBF

    IRL3716PBF

    MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,493
    IRL3716PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 5090 pF @ 10 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFPS3815PBF

    IRFPS3815PBF

    MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247

    Infineon Technologies

    2,382
    IRFPS3815PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 10V 15mOhm @ 63A, 10V 5V @ 250µA 390 nC @ 10 V ±30V 6810 pF @ 25 V - 441W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    IRFBA1405PPBF

    IRFBA1405PPBF

    MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220

    Infineon Technologies

    2,430
    IRFBA1405PPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 174A (Tc) 10V 5mOhm @ 101A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 5480 pF @ 25 V - 330W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
    IRFBA1404PPBF

    IRFBA1404PPBF

    MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

    Infineon Technologies

    3,004
    IRFBA1404PPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 206A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 300W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
    IRF7831PBF

    IRF7831PBF

    MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

    Infineon Technologies

    5,730
    IRF7831PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±12V 6240 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7201PBF

    IRF7201PBF

    MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO

    Infineon Technologies

    9,639
    IRF7201PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.3A (Tc) 4.5V, 10V 30mOhm @ 7.3A, 10V 1V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V 550 pF @ 25 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7458PBF

    IRF7458PBF

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    5,006
    IRF7458PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 10V, 16V 8mOhm @ 14A, 16V 4V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±30V 2410 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7455PBF

    IRF7455PBF

    MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

    Infineon Technologies

    2,113
    IRF7455PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta) 2.8V, 10V 7.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 56 nC @ 5 V ±12V 3480 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7404PBF

    IRF7404PBF

    MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO

    Infineon Technologies

    9,547
    IRF7404PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 40mOhm @ 3.2A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 50 nC @ 4.5 V ±12V 1500 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    SI4410DYPBF

    SI4410DYPBF

    MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    7,399
    SI4410DYPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 10A, 10V 1V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1585 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7207PBF

    IRF7207PBF

    MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

    Infineon Technologies

    6,352
    IRF7207PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Tc) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7468PBF

    IRF7468PBF

    MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO

    Infineon Technologies

    7,566
    IRF7468PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 9.4A (Ta) 4.5V, 10V 15.5mOhm @ 9.4A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 4.5 V ±12V 2460 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7470PBF

    IRF7470PBF

    MOSFET N-CH 40V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    8,773
    IRF7470PBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 2.8V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±12V 3430 pF @ 20 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.