БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRLR8503PBF

      IRLR8503PBF

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

      Infineon Technologies

      		 9,376
      Запрос на предложение
      		IRLR8503PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLZ34NSPBF

      IRLZ34NSPBF

      MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,920
      Запрос на предложение
      		IRLZ34NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4V, 10V 35mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 25 nC @ 5 V ±16V 880 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF1010ZSPBF

      IRF1010ZSPBF

      MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,473
      Запрос на предложение
      		IRF1010ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 2840 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFZ44ESPBF

      IRFZ44ESPBF

      MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,606
      Запрос на предложение
      		IRFZ44ESPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Tc) 10V 23mOhm @ 29A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFZ34NSPBF

      IRFZ34NSPBF

      MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,610
      Запрос на предложение
      		IRFZ34NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 29A (Tc) 10V 40mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL1004SPBF

      IRL1004SPBF

      MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,234
      Запрос на предложение
      		IRL1004SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 130A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 78A, 10V 1V @ 250µA 100 nC @ 4.5 V ±16V 5330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL2505SPBF

      IRL2505SPBF

      MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,338
      Запрос на предложение
      		IRL2505SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 104A (Tc) 4V, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS17N20DPBF

      IRFS17N20DPBF

      MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,991
      Запрос на предложение
      		IRFS17N20DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3714PBF

      IRL3714PBF

      MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 6,942
      Запрос на предложение
      		IRL3714PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRLR014NPBF

      IRLR014NPBF

      MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

      Infineon Technologies

      		 3,737
      Запрос на предложение
      		IRLR014NPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 7.9 nC @ 5 V ±16V 265 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRL3302PBF

      IRL3302PBF

      MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 3,861
      Запрос на предложение
      		IRL3302PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 39A (Tc) 4.5V, 7V 20mOhm @ 23A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 31 nC @ 4.5 V ±10V 1300 pF @ 15 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRFR3518PBF

      IRFR3518PBF

      MOSFET N-CH 80V 38A DPAK

      Infineon Technologies

      		 6,094
      Запрос на предложение
      		IRFR3518PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 38A (Tc) 10V 29mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRF3707SPBF

      IRF3707SPBF

      MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,885
      Запрос на предложение
      		IRF3707SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF1503SPBF

      IRF1503SPBF

      MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,146
      Запрос на предложение
      		IRF1503SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 5730 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3103SPBF

      IRL3103SPBF

      MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,075
      Запрос на предложение
      		IRL3103SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1650 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFL024ZPBF

      IRFL024ZPBF

      MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

      Infineon Technologies

      		 9,938
      Запрос на предложение
      		IRFL024ZPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 5.1A (Ta) 10V 57.5mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
      IRLI530NPBF

      IRLI530NPBF

      MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP

      Infineon Technologies

      		 3,464
      Запрос на предложение
      		IRLI530NPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
      IRLZ24NSPBF

      IRLZ24NSPBF

      MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,509
      Запрос на предложение
      		IRLZ24NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 4V, 10V 60mOhm @ 11A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLZ34NLPBF

      IRLZ34NLPBF

      MOSFET N-CH 55V 30A TO262

      Infineon Technologies

      		 3,152
      Запрос на предложение
      		IRLZ34NLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4V, 10V 35mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 25 nC @ 5 V ±16V 880 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRFU9120NPBF

      IRFU9120NPBF

      MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

      Infineon Technologies

      		 9,232
      Запрос на предложение
      		IRFU9120NPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.6A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
      Total 36322 Record«Prev1... 14671468146914701471147214731474...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]