БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFZ44NSPBF

    IRFZ44NSPBF

    MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,117
    IRFZ44NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR3708PBF

    IRFR3708PBF

    MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

    Infineon Technologies

    2,118
    IRFR3708PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 61A (Tc) 2.8V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFZ44NLPBF

    IRFZ44NLPBF

    MOSFET N-CH 55V 49A TO262

    Infineon Technologies

    4,238
    IRFZ44NLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFZ48NLPBF

    IRFZ48NLPBF

    MOSFET N-CH 55V 64A TO262

    Infineon Technologies

    4,839
    IRFZ48NLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF3710LPBF

    IRF3710LPBF

    MOSFET N-CH 100V 57A TO262

    Infineon Technologies

    9,479
    IRF3710LPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFU3303PBF

    IRFU3303PBF

    MOSFET N-CH 30V 33A IPAK

    Infineon Technologies

    6,880
    IRFU3303PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 33A (Tc) 10V 31mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFI1010NPBF

    IRFI1010NPBF

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    3,961
    IRFI1010NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 49A (Tc) 10V 12mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRF1010EZSPBF

    IRF1010EZSPBF

    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,167
    IRF1010EZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 51A, 10V 4V @ 100µA 86 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL3103PBF

    IRL3103PBF

    MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,954
    IRL3103PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1650 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFZ48NSPBF

    IRFZ48NSPBF

    MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,267
    IRFZ48NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 14mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 1970 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFIB41N15DPBF

    IRFIB41N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    5,473
    IRFIB41N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2520 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRFR12N25DPBF

    IRFR12N25DPBF

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

    Infineon Technologies

    2,565
    IRFR12N25DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 260mOhm @ 8.4A, 10V 5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 810 pF @ 25 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLIZ44NPBF

    IRLIZ44NPBF

    MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    2,407
    IRLIZ44NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 4V, 10V 22mOhm @ 17A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRFIZ48VPBF

    IRFIZ48VPBF

    MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    2,341
    IRFIZ48VPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 39A (Tc) 10V 12mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1985 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRLI540NPBF

    IRLI540NPBF

    MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    2,484
    IRLI540NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 4V, 10V 44mOhm @ 12A, 10V 2V @ 250µA 74 nC @ 5 V ±16V 1800 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRFP048NPBF

    IRFP048NPBF

    MOSFET N-CH 55V 64A TO247AC

    Infineon Technologies

    3,397
    IRFP048NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 64A (Tc) 10V 16mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFZ46ZPBF

    IRFZ46ZPBF

    MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,534
    IRFZ46ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.6mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 1460 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFP044NPBF

    IRFP044NPBF

    MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC

    Infineon Technologies

    9,480
    IRFP044NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 53A (Tc) 10V 20mOhm @ 29A, 10V 4V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRL3502PBF

    IRL3502PBF

    MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,796
    IRL3502PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V ±10V 4700 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRLI520NPBF

    IRLI520NPBF

    MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    3,543
    IRLI520NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.1A (Tc) 4V, 10V 180mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 440 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.