БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFU024NPBF

    IRFU024NPBF

    MOSFET N-CH 55V 17A IPAK

    Infineon Technologies

    7,768
    IRFU024NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRLR120NPBF

    IRLR120NPBF

    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

    Infineon Technologies

    8,740
    IRLR120NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 4V, 10V 185mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 440 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF3710SPBF

    IRF3710SPBF

    MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,397
    IRF3710SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 23mOhm @ 28A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR18N15DPBF

    IRFR18N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

    Infineon Technologies

    7,765
    IRFR18N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRL1104PBF

    IRL1104PBF

    MOSFET N-CH 40V 104A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,634
    IRL1104PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 104A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 1V @ 250µA 68 nC @ 4.5 V ±16V 3445 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF8010SPBF

    IRF8010SPBF

    MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,874
    IRF8010SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 10V 15mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3830 pF @ 25 V - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR3910PBF

    IRFR3910PBF

    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK

    Infineon Technologies

    3,468
    IRFR3910PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Tc) 10V 115mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF1010NSPBF

    IRF1010NSPBF

    MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,722
    IRF1010NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 85A (Tc) 10V 11mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3210 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF6215PBF

    IRF6215PBF

    MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,203
    IRF6215PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFR3706PBF

    IRFR3706PBF

    MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

    Infineon Technologies

    3,852
    IRFR3706PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 75A (Tc) 2.8V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFZ34EPBF

    IRFZ34EPBF

    MOSFET N-CH 60V 28A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,649
    IRFZ34EPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 28A (Tc) 10V 42mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3711PBF

    IRF3711PBF

    MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,692
    IRF3711PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFU5505PBF

    IRFU5505PBF

    MOSFET P-CH 55V 18A IPAK

    Infineon Technologies

    6,511
    IRFU5505PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFB33N15DPBF

    IRFB33N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 33A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,479
    IRFB33N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 56mOhm @ 20A, 10V 5.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 2020 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3315PBF

    IRF3315PBF

    MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,862
    IRF3315PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 23A (Tc) 10V 70mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL2703PBF

    IRL2703PBF

    MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,875
    IRL2703PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFIZ48NPBF

    IRFIZ48NPBF

    MOSFET N-CH 55V 40A TO220AB FP

    Infineon Technologies

    9,788
    IRFIZ48NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 40A (Tc) 10V 16mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
    IRL3803LPBF

    IRL3803LPBF

    MOSFET N-CH 30V 140A TO262

    Infineon Technologies

    4,317
    IRL3803LPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF3706PBF

    IRF3706PBF

    MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,221
    IRF3706PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 2.8V, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3707PBF

    IRF3707PBF

    MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,156
    IRF3707PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 4.5V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.