БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF840PBF

    IRF840PBF

    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,489
    IRF840PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFB4710PBF

    IRFB4710PBF

    MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,800
    IRFB4710PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 75A (Tc) 10V 14mOhm @ 45A, 10V 5.5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 6160 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFP460PBF

    IRFP460PBF

    MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

    Infineon Technologies

    5,534
    IRFP460PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 270mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 4200 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFR6215PBF

    IRFR6215PBF

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

    Infineon Technologies

    4,272
    IRFR6215PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 295mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFB11N50APBF

    IRFB11N50APBF

    MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,758
    IRFB11N50APBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFR3707PBF

    IRFR3707PBF

    MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

    Infineon Technologies

    6,974
    IRFR3707PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 61A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1990 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF1404SPBF

    IRF1404SPBF

    MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,596
    IRF1404SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 162A (Tc) 10V 4mOhm @ 95A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 7360 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF3205LPBF

    IRF3205LPBF

    MOSFET N-CH 55V 110A TO262

    Infineon Technologies

    4,059
    IRF3205LPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF3704PBF

    IRF3704PBF

    MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,508
    IRF3704PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF530NSPBF

    IRF530NSPBF

    MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,363
    IRF530NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 920 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF630NSPBF

    IRF630NSPBF

    MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,292
    IRF630NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.3A (Tc) 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 575 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFB31N20DPBF

    IRFB31N20DPBF

    MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB

    Infineon Technologies

    4,373
    IRFB31N20DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFB41N15DPBF

    IRFB41N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB

    Infineon Technologies

    4,988
    IRFB41N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2520 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFR2407PBF

    IRFR2407PBF

    MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    9,822
    IRFR2407PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 42A (Tc) 10V 26mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFZ48VPBF

    IRFZ48VPBF

    MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,145
    IRFZ48VPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 72A (Tc) 10V 12mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1985 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL2203NPBF

    IRL2203NPBF

    MOSFET N-CH 30V 116A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,260
    IRL2203NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 116A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 1V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL3303PBF

    IRL3303PBF

    MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,865
    IRL3303PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 38A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±16V 870 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL530NPBF

    IRL530NPBF

    MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,546
    IRL530NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFP4710PBF

    IRFP4710PBF

    MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC

    Infineon Technologies

    6,134
    IRFP4710PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 72A (Tc) 10V 14mOhm @ 45A, 10V 5.5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 6160 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFB59N10DPBF

    IRFB59N10DPBF

    MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB

    Infineon Technologies

    4,034
    IRFB59N10DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 25mOhm @ 35.4A, 10V 5.5V @ 250µA 114 nC @ 10 V ±30V 2450 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.