БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NTD60N02RT4G

    NTD60N02RT4G

    MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK

    onsemi

    4,681
    NTD60N02RT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V 1330 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 58W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    MTD6N15T4G

    MTD6N15T4G

    MOSFET N-CH 150V 6A DPAK

    onsemi

    2,685
    MTD6N15T4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 6A (Tc) 10V 300mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 1.25W (Ta), 20W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NTHS5441T1G

    NTHS5441T1G

    MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

    onsemi

    5,383
    NTHS5441T1G

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.9A (Ta) 2.5V, 4.5V 46mOhm @ 3.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 22 nC @ 4.5 V ±12V 710 pF @ 5 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
    MTP10N10ELG

    MTP10N10ELG

    MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB

    onsemi

    8,861
    MTP10N10ELG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 5V 220mOhm @ 5A, 5V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±15V 1040 pF @ 25 V - 1.75W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTHS2101PT1G

    NTHS2101PT1G

    MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

    onsemi

    2,156
    NTHS2101PT1G

    Техническая документация

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 5.4A (Tj) 1.8V, 4.5V 25mOhm @ 5.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±8V 2400 pF @ 6.4 V - 1.3W (Ta) - - - Surface Mount ChipFET™
    NTMS4503NR2

    NTMS4503NR2

    MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC

    onsemi

    6,195
    NTMS4503NR2

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 9A (Ta) 4.5V, 10V 8mOhm @ 14A, 10V 2V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 16 V - 930mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTB25P06G

    NTB25P06G

    MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

    onsemi

    6,511
    NTB25P06G

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 27.5A (Ta) 10V 82mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±15V 1680 pF @ 25 V - 120W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    MTP52N06VLG

    MTP52N06VLG

    MOSFET PWR N-CH 60V 52A TO-220AB

    onsemi

    3,969
    MTP52N06VLG

    Техническая документация

    * - - Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTP60N06G

    NTP60N06G

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

    onsemi

    6,311
    NTP60N06G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Ta) 10V 14mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 3220 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTP75N06G

    NTP75N06G

    MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB

    onsemi

    9,650
    NTP75N06G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Ta) 10V 9.5mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 4510 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 214W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    MTP2P50EG

    MTP2P50EG

    MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB

    onsemi

    3,319
    MTP2P50EG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2A (Tc) 10V 6Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 1183 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTP75N03L09G

    NTP75N03L09G

    MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

    onsemi

    9,646
    NTP75N03L09G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 5V 8mOhm @ 37.5A, 5V 2V @ 250µA 75 nC @ 5 V ±20V 5635 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTB75N03L09G

    NTB75N03L09G

    MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

    onsemi

    4,270
    NTB75N03L09G

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 5V 8mOhm @ 37.5A, 5V 2V @ 250µA 75 nC @ 5 V ±20V 5635 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    MTP50P03HDLG

    MTP50P03HDLG

    MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

    onsemi

    6,416
    MTP50P03HDLG

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Tc) 5V 25mOhm @ 25A, 5V 2V @ 250µA 100 nC @ 5 V ±15V 4900 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRF540ZSTRR

    IRF540ZSTRR

    MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,269
    IRF540ZSTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF6620TR1

    IRF6620TR1

    MOSFET N-CH 20V 27A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    9,098
    IRF6620TR1

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MX Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 27A, 10V 2.45V @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±20V 4130 pF @ 10 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MX
    IRF6691TR1

    IRF6691TR1

    MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    7,685
    IRF6691TR1

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MT Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 71 nC @ 4.5 V ±12V 6580 pF @ 10 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MT
    IRFR120ZTRL

    IRFR120ZTRL

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

    Infineon Technologies

    9,129
    IRFR120ZTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    64-9146

    64-9146

    MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    4,592
    64-9146

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MT Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 32A (Ta), 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 71 nC @ 4.5 V ±12V 6580 pF @ 10 V - 2.8W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MT
    STB200NF04-1

    STB200NF04-1

    MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

    STMicroelectronics

    9,573
    STB200NF04-1

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.