БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    ZVN4210ASTOA

    ZVN4210ASTOA

    MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE

    Diodes Incorporated

    8,091
    ZVN4210ASTOA

    Техническая документация

    - E-Line-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 450mA (Ta) 5V, 10V 1.5Ohm @ 1.5A, 10V 2.4V @ 1mA - ±20V 100 pF @ 25 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
    IRFB4215

    IRFB4215

    MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,737
    IRFB4215

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 115A (Tc) 10V 9mOhm @ 54A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 25 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFR5305PBF

    IRFR5305PBF

    MOSFET P-CH 55V 31A DPAK

    Infineon Technologies

    6,412
    IRFR5305PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 65mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRL3803SPBF

    IRL3803SPBF

    MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,848
    IRL3803SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR220NPBF

    IRFR220NPBF

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK

    Infineon Technologies

    7,005
    IRFR220NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF540NSPBF

    IRF540NSPBF

    MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,481
    IRF540NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Tc) 10V 44mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 1960 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR024NPBF

    IRFR024NPBF

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    9,391
    IRFR024NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR5505PBF

    IRFR5505PBF

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

    Infineon Technologies

    9,513
    IRFR5505PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 18A (Tc) 10V 110mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR120NPBF

    IRFR120NPBF

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

    Infineon Technologies

    9,392
    IRFR120NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.4A (Tc) 10V 210mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR9024NPBF

    IRFR9024NPBF

    MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

    Infineon Technologies

    8,422
    IRFR9024NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 11A (Tc) 10V 175mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF640NSPBF

    IRF640NSPBF

    MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,936
    IRF640NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1160 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR9120NPBF

    IRFR9120NPBF

    MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

    Infineon Technologies

    8,413
    IRFR9120NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.6A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF3415SPBF

    IRF3415SPBF

    MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,257
    IRF3415SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF3205SPBF

    IRF3205SPBF

    MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,048
    IRF3205SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFR3303PBF

    IRFR3303PBF

    MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

    Infineon Technologies

    3,470
    IRFR3303PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 33A (Tc) 10V 31mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLL014NPBF

    IRLL014NPBF

    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

    Infineon Technologies

    9,206
    IRLL014NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2A (Ta) 4V, 10V 140mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±16V 230 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRF3711SPBF

    IRF3711SPBF

    MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,619
    IRF3711SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 10 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLL3303PBF

    IRLL3303PBF

    MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

    Infineon Technologies

    2,477
    IRLL3303PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.6A (Ta) 4.5V, 10V 31mOhm @ 4.6A, 10V 1V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±16V 840 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRLL2705PBF

    IRLL2705PBF

    MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

    Infineon Technologies

    5,529
    IRLL2705PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.8A (Ta) 4V, 10V 40mOhm @ 3.8A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±16V 870 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRLR3410PBF

    IRLR3410PBF

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    2,215
    IRLR3410PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.