БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRF1503PBF

      IRF1503PBF

      MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 3,325
      Запрос на предложение
      		IRF1503PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 140A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 5730 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRFB23N20DPBF

      IRFB23N20DPBF

      MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 3,997
      Запрос на предложение
      		IRFB23N20DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 100mOhm @ 14A, 10V 5.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V 1960 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRLR024NPBF

      IRLR024NPBF

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

      Infineon Technologies

      		 8,013
      Запрос на предложение
      		IRLR024NPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 4V, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLR8103VPBF

      IRLR8103VPBF

      MOSFET N-CH 30V 91A DPAK

      Infineon Technologies

      		 2,071
      Запрос на предложение
      		IRLR8103VPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 91A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 27 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 115W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRL1404SPBF

      IRL1404SPBF

      MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,319
      Запрос на предложение
      		IRL1404SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.3V, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 3V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFS41N15DPBF

      IRFS41N15DPBF

      MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,382
      Запрос на предложение
      		IRFS41N15DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 41A (Tc) 10V 45mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2520 pF @ 25 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLR3103PBF

      IRLR3103PBF

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

      Infineon Technologies

      		 3,953
      Запрос на предложение
      		IRLR3103PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 55A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 33A, 10V 1V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±16V 1600 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRL3705ZSPBF

      IRL3705ZSPBF

      MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,620
      Запрос на предложение
      		IRL3705ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 5 V ±16V 2880 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLL024NPBF

      IRLL024NPBF

      MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

      Infineon Technologies

      		 6,241
      Запрос на предложение
      		IRLL024NPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.1A (Ta) 4V, 10V 65mOhm @ 3.1A, 10V 2V @ 250µA 15.6 nC @ 5 V ±16V 510 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
      IRL530NSPBF

      IRL530NSPBF

      MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,346
      Запрос на предложение
      		IRL530NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 100mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±20V 800 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLR3714PBF

      IRLR3714PBF

      MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

      Infineon Technologies

      		 9,008
      Запрос на предложение
      		IRLR3714PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLR3105PBF

      IRLR3105PBF

      MOSFET N-CH 55V 25A DPAK

      Infineon Technologies

      		 6,002
      Запрос на предложение
      		IRLR3105PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 25A (Tc) 5V, 10V 37mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±16V 710 pF @ 25 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRL3714LPBF

      IRL3714LPBF

      MOSFET N-CH 20V 36A TO262

      Infineon Technologies

      		 8,986
      Запрос на предложение
      		IRL3714LPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRLU014NPBF

      IRLU014NPBF

      MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK

      Infineon Technologies

      		 8,926
      Запрос на предложение
      		IRLU014NPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 7.9 nC @ 5 V ±16V 265 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
      IRL3102PBF

      IRL3102PBF

      MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 7,673
      Запрос на предложение
      		IRL3102PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 61A (Tc) 4.5V, 7V 13mOhm @ 37A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 58 nC @ 4.5 V ±10V 2500 pF @ 15 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRFP064VPBF

      IRFP064VPBF

      MOSFET N-CH 60V 130A TO247AC

      Infineon Technologies

      		 9,586
      Запрос на предложение
      		IRFP064VPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-247-3 Bag Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 130A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 78A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 6760 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
      IRFZ48ZSPBF

      IRFZ48ZSPBF

      MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,912
      Запрос на предложение
      		IRFZ48ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 61A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFR5410PBF

      IRFR5410PBF

      MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

      Infineon Technologies

      		 3,803
      Запрос на предложение
      		IRFR5410PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Tc) 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRL3715SPBF

      IRL3715SPBF

      MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,277
      Запрос на предложение
      		IRL3715SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFU3504PBF

      IRFU3504PBF

      MOSFET N-CH 40V 30A IPAK

      Infineon Technologies

      		 7,979
      Запрос на предложение
      		IRFU3504PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
      Total 36322 Record«Prev1... 14641465146614671468146914701471...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]