БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF540ZSPBF

    IRF540ZSPBF

    MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,066
    IRF540ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLR3303PBF

    IRLR3303PBF

    MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

    Infineon Technologies

    3,390
    IRLR3303PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 21A, 10V 1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±16V 870 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR3504PBF

    IRFR3504PBF

    MOSFET N-CH 40V 30A DPAK

    Infineon Technologies

    3,755
    IRFR3504PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Tc) 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR3505PBF

    IRFR3505PBF

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

    Infineon Technologies

    6,606
    IRFR3505PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 13mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 2030 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR24N15DPBF

    IRFR24N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 24A DPAK

    Infineon Technologies

    3,765
    IRFR24N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 24A (Tc) 10V 95mOhm @ 14A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR2705PBF

    IRLR2705PBF

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

    Infineon Technologies

    5,008
    IRLR2705PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 28A (Tc) 4V, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 2V @ 250µA 25 nC @ 5 V ±16V 880 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFS23N20DPBF

    IRFS23N20DPBF

    MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,745
    IRFS23N20DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 100mOhm @ 14A, 10V 5.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V 1960 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLR2703PBF

    IRLR2703PBF

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK

    Infineon Technologies

    9,702
    IRLR2703PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Tc) 4V, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF3707ZPBF

    IRF3707ZPBF

    MOSFET N-CH 30V 59A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,273
    IRF3707ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 59A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 25µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 1210 pF @ 15 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFB61N15DPBF

    IRFB61N15DPBF

    MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB

    Infineon Technologies

    9,261
    IRFB61N15DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 60A (Tc) 10V 32mOhm @ 36A, 10V 5.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±30V 3470 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF1607PBF

    IRF1607PBF

    MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB

    Infineon Technologies

    2,486
    IRF1607PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 142A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 85A, 10V 4V @ 250µA 320 nC @ 10 V ±20V 7750 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRL8113PBF

    IRL8113PBF

    MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,649
    IRL8113PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 105A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±20V 2840 pF @ 15 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFL014NPBF

    IRFL014NPBF

    MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223

    Infineon Technologies

    7,785
    IRFL014NPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 1.9A (Ta) 10V 160mOhm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 190 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRL1404PBF

    IRL1404PBF

    MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB

    Infineon Technologies

    8,980
    IRL1404PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.3V, 10V 4mOhm @ 95A, 10V 3V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±20V 6590 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFR13N20DPBF

    IRFR13N20DPBF

    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

    Infineon Technologies

    3,545
    IRFR13N20DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 13A (Tc) 10V 235mOhm @ 8A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 830 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLL2703PBF

    IRLL2703PBF

    MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

    Infineon Technologies

    4,785
    IRLL2703PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.9A (Ta) 4V, 10V 45mOhm @ 3.9A, 10V 2.4V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±16V 530 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRF3707ZSPBF

    IRF3707ZSPBF

    MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,291
    IRF3707ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 59A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 25µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 1210 pF @ 15 V - 57W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL2203NSPBF

    IRL2203NSPBF

    MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

    Infineon Technologies

    8,102
    IRL2203NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 116A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 60A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V ±16V 3290 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL1104SPBF

    IRL1104SPBF

    MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,636
    IRL1104SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 104A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 1V @ 250µA 68 nC @ 4.5 V ±16V 3445 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFB42N20DPBF

    IRFB42N20DPBF

    MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB

    Infineon Technologies

    4,874
    IRFB42N20DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 44A (Tc) 10V 55mOhm @ 26A, 10V 5.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±30V 3430 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.