БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRFS33N15DPBF

      IRFS33N15DPBF

      MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,707
      Запрос на предложение
      		IRFS33N15DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 56mOhm @ 20A, 10V 5.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±30V 2020 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3704SPBF

      IRF3704SPBF

      MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,838
      Запрос на предложение
      		IRF3704SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLR3802PBF

      IRLR3802PBF

      MOSFET N-CH 12V 84A DPAK

      Infineon Technologies

      		 5,068
      Запрос на предложение
      		IRLR3802PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 84A (Tc) 2.8V, 4.5V 8.5mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±12V 2490 pF @ 6 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRL2910SPBF

      IRL2910SPBF

      MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,829
      Запрос на предложение
      		IRL2910SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Tc) 4V, 10V 26mOhm @ 29A, 10V 2V @ 250µA 140 nC @ 5 V ±16V 3700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLR3715PBF

      IRLR3715PBF

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

      Infineon Technologies

      		 5,939
      Запрос на предложение
      		IRLR3715PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFS31N20DPBF

      IRFS31N20DPBF

      MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,209
      Запрос на предложение
      		IRFS31N20DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 107 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3102SPBF

      IRL3102SPBF

      MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,229
      Запрос на предложение
      		IRL3102SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 61A (Tc) 4.5V, 7V 13mOhm @ 37A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 58 nC @ 4.5 V ±10V 2500 pF @ 15 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3708SPBF

      IRF3708SPBF

      MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,518
      Запрос на предложение
      		IRF3708SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 2.8V, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3708PBF

      IRF3708PBF

      MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 7,904
      Запрос на предложение
      		IRF3708PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 2.8V, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRLU2703PBF

      IRLU2703PBF

      MOSFET N-CH 30V 23A IPAK

      Infineon Technologies

      		 6,965
      Запрос на предложение
      		IRLU2703PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Tc) 4.5V, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
      IRL3705NSPBF

      IRL3705NSPBF

      MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,116
      Запрос на предложение
      		IRL3705NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 89A (Tc) 4V, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 2V @ 250µA 98 nC @ 5 V ±16V 3600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLU2905PBF

      IRLU2905PBF

      MOSFET N-CH 55V 42A IPAK

      Infineon Technologies

      		 6,686
      Запрос на предложение
      		IRLU2905PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) - 27mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V - 1700 pF @ 25 V - - - - - Through Hole IPAK
      IRFZ44ZSPBF

      IRFZ44ZSPBF

      MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,081
      Запрос на предложение
      		IRFZ44ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3103LPBF

      IRL3103LPBF

      MOSFET N-CH 30V 64A TO262

      Infineon Technologies

      		 6,347
      Запрос на предложение
      		IRL3103LPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 64A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 34A, 10V 1V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1650 pF @ 25 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRFR3411PBF

      IRFR3411PBF

      MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

      Infineon Technologies

      		 9,494
      Запрос на предложение
      		IRFR3411PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Tc) 10V 44mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 1960 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFIZ24EPBF

      IRFIZ24EPBF

      MOSFET N-CH 60V 14A TO220AB FP

      Infineon Technologies

      		 2,427
      Запрос на предложение
      		IRFIZ24EPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 10V 71mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 29W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
      IRL2703SPBF

      IRL2703SPBF

      MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,657
      Запрос на предложение
      		IRL2703SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFR15N20DPBF

      IRFR15N20DPBF

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK

      Infineon Technologies

      		 3,002
      Запрос на предложение
      		IRFR15N20DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 17A (Tc) 10V 165mOhm @ 10A, 10V 5.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±30V 910 pF @ 25 V - 3W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFL4105PBF

      IRFL4105PBF

      MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

      Infineon Technologies

      		 4,041
      Запрос на предложение
      		IRFL4105PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.7A (Ta) 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
      IRLU3915PBF

      IRLU3915PBF

      MOSFET N-CH 55V 30A IPAK

      Infineon Technologies

      		 9,198
      Запрос на предложение
      		IRLU3915PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 5V, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±16V 1870 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
      Total 36322 Record«Prev1... 14681469147014711472147314741475...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]