БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRFU3412PBF

      IRFU3412PBF

      MOSFET N-CH 100V 48A IPAK

      Infineon Technologies

      		 8,465
      Запрос на предложение
      		IRFU3412PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48A (Tc) 10V 25mOhm @ 29A, 10V 5.5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 3430 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
      IRFR9N20DPBF

      IRFR9N20DPBF

      MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK

      Infineon Technologies

      		 9,700
      Запрос на предложение
      		IRFR9N20DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.4A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.6A, 10V 5.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±30V 560 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLU8203PBF

      IRLU8203PBF

      MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK

      Infineon Technologies

      		 5,108
      Запрос на предложение
      		IRLU8203PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 6.8mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 2430 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
      IRFR3412PBF

      IRFR3412PBF

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK

      Infineon Technologies

      		 2,438
      Запрос на предложение
      		IRFR3412PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48A (Tc) 10V 25mOhm @ 29A, 10V 5.5V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 3430 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFU2405PBF

      IRFU2405PBF

      MOSFET N-CH 55V 56A IPAK

      Infineon Technologies

      		 2,867
      Запрос на предложение
      		IRFU2405PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 56A (Tc) 10V 16mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2430 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
      IRF2807ZSPBF

      IRF2807ZSPBF

      MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,020
      Запрос на предложение
      		IRF2807ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 75A (Tc) 10V 9.4mOhm @ 53A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFU4105PBF

      IRFU4105PBF

      MOSFET N-CH 55V 27A IPAK

      Infineon Technologies

      		 6,501
      Запрос на предложение
      		IRFU4105PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 27A (Tc) 10V 45mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
      IRFR13N15DPBF

      IRFR13N15DPBF

      MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

      Infineon Technologies

      		 7,446
      Запрос на предложение
      		IRFR13N15DPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 14A (Tc) 10V 180mOhm @ 8.3A, 10V 5.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFR3410PBF

      IRFR3410PBF

      MOSFET N-CH 100V 31A DPAK

      Infineon Technologies

      		 7,729
      Запрос на предложение
      		IRFR3410PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31A (Tc) 10V 39mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 3W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFR1205PBF

      IRFR1205PBF

      MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

      Infineon Technologies

      		 6,305
      Запрос на предложение
      		IRFR1205PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 44A (Tc) 10V 27mOhm @ 26A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLR2908PBF

      IRLR2908PBF

      MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

      Infineon Technologies

      		 6,340
      Запрос на предложение
      		IRLR2908PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 28mOhm @ 23A, 10V 2.5V @ 250µA 33 nC @ 4.5 V ±16V 1890 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRLZ44NSPBF

      IRLZ44NSPBF

      MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,787
      Запрос на предложение
      		IRLZ44NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 47A (Tc) 4V, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRFR2405PBF

      IRFR2405PBF

      MOSFET N-CH 55V 56A DPAK

      Infineon Technologies

      		 8,914
      Запрос на предложение
      		IRFR2405PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 56A (Tc) 10V 16mOhm @ 34A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2430 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFL4315PBF

      IRFL4315PBF

      MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

      Infineon Technologies

      		 2,211
      Запрос на предложение
      		IRFL4315PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 2.6A (Ta) 10V 185mOhm @ 1.6A, 10V 5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 420 pF @ 25 V - 2.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
      IRF3709SPBF

      IRF3709SPBF

      MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,311
      Запрос на предложение
      		IRF3709SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3715PBF

      IRL3715PBF

      MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 6,923
      Запрос на предложение
      		IRL3715PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRF1310NSPBF

      IRF1310NSPBF

      MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,683
      Запрос на предложение
      		IRF1310NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 10V 36mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL1104LPBF

      IRL1104LPBF

      MOSFET N-CH 40V 104A TO262

      Infineon Technologies

      		 5,647
      Запрос на предложение
      		IRL1104LPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 104A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 62A, 10V 1V @ 250µA 68 nC @ 4.5 V ±16V 3445 pF @ 25 V - 2.4W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRLR3915PBF

      IRLR3915PBF

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

      Infineon Technologies

      		 9,185
      Запрос на предложение
      		IRLR3915PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 5V, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±16V 1870 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      IRFR4105PBF

      IRFR4105PBF

      MOSFET N-CH 55V 27A DPAK

      Infineon Technologies

      		 2,986
      Запрос на предложение
      		IRFR4105PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 27A (Tc) 10V 45mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
      Total 36322 Record«Prev1... 14661467146814691470147114721473...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]