БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF3709ZPBF

    IRF3709ZPBF

    MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,845
    IRF3709ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFU3711ZPBF

    IRFU3711ZPBF

    MOSFET N-CH 20V 93A IPAK

    Infineon Technologies

    5,598
    IRFU3711ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 93A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2160 pF @ 10 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRLR3717PBF

    IRLR3717PBF

    MOSFET N-CH 20V 120A DPAK

    Infineon Technologies

    5,452
    IRLR3717PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 31 nC @ 4.5 V ±20V 2830 pF @ 10 V - 89W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRF634NPBF

    IRF634NPBF

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB

    Vishay Siliconix

    8,468
    IRF634NPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Tc) 10V 435mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFR48ZPBF

    IRFR48ZPBF

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

    Infineon Technologies

    7,983
    IRFR48ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 50µA 60 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFU48ZPBF

    IRFU48ZPBF

    MOSFET N-CH 55V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    4,511
    IRFU48ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 11mOhm @ 37A, 10V 4V @ 50µA 60 nC @ 10 V ±20V 1720 pF @ 25 V - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRF644NLPBF

    IRF644NLPBF

    MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK

    Vishay Siliconix

    4,608
    IRF644NLPBF

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRL3803VPBF

    IRL3803VPBF

    MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,507
    IRL3803VPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 71A, 10V 1V @ 250µA 76 nC @ 4.5 V ±16V 3720 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3007SPBF

    IRF3007SPBF

    MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK

    Infineon Technologies

    5,712
    IRF3007SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 62A (Tc) 10V 12.6mOhm @ 48A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3270 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF6218PBF

    IRF6218PBF

    MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB

    Infineon Technologies

    4,038
    IRF6218PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 27A (Tc) 10V 150mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2210 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3710ZLPBF

    IRF3710ZLPBF

    MOSFET N-CH 100V 59A TO262

    Infineon Technologies

    9,056
    IRF3710ZLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 18mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF3710ZSPBF

    IRF3710ZSPBF

    MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,168
    IRF3710ZSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 59A (Tc) 10V 18mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF2805LPBF

    IRF2805LPBF

    MOSFET N-CH 55V 135A TO262

    Infineon Technologies

    6,671
    IRF2805LPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 135A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5110 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFP254NPBF

    IRFP254NPBF

    MOSFET N-CH 250V 23A TO247-3

    Vishay Siliconix

    9,854
    IRFP254NPBF

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 23A (Tc) 10V 125mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 2040 pF @ 25 V - 220W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRF3808SPBF

    IRF3808SPBF

    MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,254
    IRF3808SPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 106A (Tc) 10V 7mOhm @ 82A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 5310 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFP264NPBF

    IRFP264NPBF

    MOSFET N-CH 250V 44A TO247-3

    Vishay Siliconix

    8,709
    IRFP264NPBF

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 44A (Tc) 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 3860 pF @ 25 V - 380W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFP22N60C3PBF

    IRFP22N60C3PBF

    MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3

    Vishay Siliconix

    7,784
    IRFP22N60C3PBF

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Ta) - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247AC
    IRF520NSPBF

    IRF520NSPBF

    MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,794
    IRF520NSPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) - - - Surface Mount D2PAK
    IRLZ44ZLPBF

    IRLZ44ZLPBF

    MOSFET N-CH 55V 51A TO262

    Infineon Technologies

    4,617
    IRLZ44ZLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 31A, 10V 3V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±16V 1620 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF3709ZLPBF

    IRF3709ZLPBF

    MOSFET N-CH 30V 87A TO262

    Infineon Technologies

    4,704
    IRF3709ZLPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.