БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF7464TRPBF

    IRF7464TRPBF

    MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

    Infineon Technologies

    7,082
    IRF7464TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.2A (Ta) 10V 730mOhm @ 720mA, 10V 5.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7834TRPBF

    IRF7834TRPBF

    MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

    Infineon Technologies

    8,493
    IRF7834TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 19A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 19A, 10V 2.25V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±20V 3710 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7460TRPBF

    IRF7460TRPBF

    MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

    Infineon Technologies

    3,221
    IRF7460TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 2050 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7453TRPBF

    IRF7453TRPBF

    MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO

    Infineon Technologies

    4,628
    IRF7453TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Ta) 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7433TRPBF

    IRF7433TRPBF

    MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO

    Infineon Technologies

    3,474
    IRF7433TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 8.9A (Ta) 1.8V, 4.5V 24mOhm @ 8.7A, 4.5V 900mV @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±8V 1877 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7457TRPBF

    IRF7457TRPBF

    MOSFET N-CH 20V 15A 8SO

    Infineon Technologies

    9,489
    IRF7457TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 15A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±20V 3100 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7207TRPBF

    IRF7207TRPBF

    MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

    Infineon Technologies

    3,024
    IRF7207TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Tc) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFU120ZPBF

    IRFU120ZPBF

    MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK

    Infineon Technologies

    8,651
    IRFU120ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 5.2A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 310 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRLU4343PBF

    IRLU4343PBF

    MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK

    Infineon Technologies

    8,183
    IRLU4343PBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 50 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRFU3504ZPBF

    IRFU3504ZPBF

    MOSFET N-CH 40V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    4,962
    IRFU3504ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 42A (Tc) 10V 9mOhm @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1510 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU2905ZPBF

    IRFU2905ZPBF

    MOSFET N-CH 55V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    6,264
    IRFU2905ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 10V 14.5mOhm @ 36A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1380 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFU12N25DPBF

    IRFU12N25DPBF

    MOSFET N-CH 250V 14A IPAK

    Infineon Technologies

    6,435
    IRFU12N25DPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 260mOhm @ 8.4A, 10V 5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 810 pF @ 25 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRLU3705ZPBF

    IRLU3705ZPBF

    MOSFET N-CH 55V 42A IPAK

    Infineon Technologies

    3,381
    IRLU3705ZPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 42A, 10V 3V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±16V 2900 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    FDC3616N

    FDC3616N

    MOSFET N-CH 100V 3.7A SUPERSOT6

    onsemi

    3,602
    FDC3616N

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 3.7A (Ta) 6V, 10V 70mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1215 pF @ 50 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
    FDC697P_F077

    FDC697P_F077

    MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6

    onsemi

    5,869
    FDC697P_F077

    Техническая документация

    PowerTrench® 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 8A (Ta) 1.8V, 4.5V 20mOhm @ 8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 55 nC @ 4.5 V ±8V 3524 pF @ 10 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
    FDFS2P102

    FDFS2P102

    MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC

    onsemi

    8,538
    FDFS2P102

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.3A (Ta) 4.5V, 10V 125mOhm @ 3.3A, 10V 2V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDJ128N

    FDJ128N

    MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 FLMP

    onsemi

    7,083
    FDJ128N

    Техническая документация

    PowerTrench® SC-75-6 FLMP Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 35mOhm @ 5.5A, 4.5V 1.5V @ 250µA 8 nC @ 5 V ±12V 543 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC75-6 FLMP
    FDJ129P

    FDJ129P

    MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP

    onsemi

    7,803
    FDJ129P

    Техническая документация

    PowerTrench® SC-75-6 FLMP Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 4.2A, 4.5V 1.5V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 10 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC75-6 FLMP
    FDS2170N3

    FDS2170N3

    MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

    onsemi

    7,767
    FDS2170N3

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3A (Ta) 10V 128mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1292 pF @ 100 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
    FDS2170N7

    FDS2170N7

    MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

    onsemi

    5,427
    FDS2170N7

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3A (Ta) 10V 128mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 1292 pF @ 100 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO FLMP
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.