БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRF3709ZSPBF

      IRF3709ZSPBF

      MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,670
      Запрос на предложение
      		IRF3709ZSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 87A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2130 pF @ 15 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF644NPBF

      IRF644NPBF

      MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 6,237
      Запрос на предложение
      		IRF644NPBF

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRL5602SPBF

      IRL5602SPBF

      MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,177
      Запрос на предложение
      		IRL5602SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF6215SPBF

      IRF6215SPBF

      MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,175
      Запрос на предложение
      		IRF6215SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF644NSPBF

      IRF644NSPBF

      MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 6,343
      Запрос на предложение
      		IRF644NSPBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IRF630NLPBF

      IRF630NLPBF

      MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262

      Infineon Technologies

      		 7,191
      Запрос на предложение
      		IRF630NLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.3A (Tc) 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 575 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRLIB9343PBF

      IRLIB9343PBF

      MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP

      Infineon Technologies

      		 6,925
      Запрос на предложение
      		IRLIB9343PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 14A (Tc) 4.5V, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 1V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 50 V - 33W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
      IRL3705ZLPBF

      IRL3705ZLPBF

      MOSFET N-CH 55V 75A TO262

      Infineon Technologies

      		 3,052
      Запрос на предложение
      		IRL3705ZLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 52A, 10V 3V @ 250µA 60 nC @ 5 V ±16V 2880 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF9530NSPBF

      IRF9530NSPBF

      MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,487
      Запрос на предложение
      		IRF9530NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 200mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF5305SPBF

      IRF5305SPBF

      MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 7,277
      Запрос на предложение
      		IRF5305SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL7833SPBF

      IRL7833SPBF

      MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,926
      Запрос на предложение
      		IRL7833SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 38A, 10V 2.3V @ 250µA 47 nC @ 4.5 V ±20V 4170 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF9Z34NLPBF

      IRF9Z34NLPBF

      MOSFET P-CH 55V 19A TO262

      Infineon Technologies

      		 4,801
      Запрос на предложение
      		IRF9Z34NLPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF9Z34NSPBF

      IRF9Z34NSPBF

      MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,228
      Запрос на предложение
      		IRF9Z34NSPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3305PBF

      IRF3305PBF

      MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 7,736
      Запрос на предложение
      		IRF3305PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3650 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRFB4215PBF

      IRFB4215PBF

      MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB

      Infineon Technologies

      		 2,995
      Запрос на предложение
      		IRFB4215PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 115A (Tc) 10V 9mOhm @ 54A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 25 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IRF3315SPBF

      IRF3315SPBF

      MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 5,770
      Запрос на предложение
      		IRF3315SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRL3502SPBF

      IRL3502SPBF

      MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,865
      Запрос на предложение
      		IRL3502SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 110A (Tc) 4.5V, 7V 7mOhm @ 64A, 7V 700mV @ 250µA (Min) 110 nC @ 4.5 V ±10V 4700 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      64-2092PBF

      64-2092PBF

      MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,013
      Запрос на предложение
      		64-2092PBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 75A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 66A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3450 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF2807SPBF

      IRF2807SPBF

      MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 6,473
      Запрос на предложение
      		IRF2807SPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 82A (Tc) 10V 13mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3820 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRLBA1304PPBF

      IRLBA1304PPBF

      MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

      Infineon Technologies

      		 4,324
      Запрос на предложение
      		IRLBA1304PPBF

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-273AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 185A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 110A, 10V 1V @ 250µA 140 nC @ 4.5 V ±16V 7660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
      Total 36322 Record«Prev1... 14761477147814791480148114821483...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]