БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFSL9N60ATRR

    IRFSL9N60ATRR

    MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK

    Vishay Siliconix

    9,186
    IRFSL9N60ATRR

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRFZ14L

    IRFZ14L

    MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3

    Vishay Siliconix

    4,320
    IRFZ14L

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    IRFZ14STRR

    IRFZ14STRR

    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

    Vishay Siliconix

    8,041
    IRFZ14STRR

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFZ24L

    IRFZ24L

    MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3

    Vishay Siliconix

    9,248
    IRFZ24L

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 640 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    IRFZ24NSTRR

    IRFZ24NSTRR

    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,116
    IRFZ24NSTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFZ44L

    IRFZ44L

    MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3

    Vishay Siliconix

    6,835
    IRFZ44L

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    IRFZ48L

    IRFZ48L

    MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3

    Vishay Siliconix

    3,827
    IRFZ48L

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    IRL3705NSTRR

    IRL3705NSTRR

    MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,634
    IRL3705NSTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 89A (Tc) 4V, 10V 10mOhm @ 46A, 10V 2V @ 250µA 98 nC @ 5 V ±16V 3600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL520STRL

    IRL520STRL

    MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

    Vishay Siliconix

    9,686
    IRL520STRL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.2A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRL530L

    IRL530L

    MOSFET N-CH 100V 15A TO262-3

    Vishay Siliconix

    8,531
    IRL530L

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4V, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 2V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±10V 930 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262-3
    IRL530STRL

    IRL530STRL

    MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK

    Vishay Siliconix

    3,596
    IRL530STRL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15A (Tc) 4V, 5V 160mOhm @ 9A, 5V 2V @ 250µA 28 nC @ 5 V ±10V 930 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRL540STRR

    IRL540STRR

    MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

    Vishay Siliconix

    6,386
    IRL540STRR

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 4V, 5V 77mOhm @ 17A, 5V 2V @ 250µA 64 nC @ 5 V ±10V 2200 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRL5602STRL

    IRL5602STRL

    MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,144
    IRL5602STRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL5602STRR

    IRL5602STRR

    MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,562
    IRL5602STRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 24A (Tc) 2.5V, 4.5V 42mOhm @ 12A, 4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 4.5 V ±8V 1460 pF @ 15 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLI540G

    IRLI540G

    MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3

    Vishay Siliconix

    9,379
    IRLI540G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 5V 77mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 64 nC @ 5 V ±10V 2200 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRLR014NTRR

    IRLR014NTRR

    MOSFET N-CH 55V 10A DPAK

    Infineon Technologies

    5,211
    IRLR014NTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 140mOhm @ 6A, 10V 1V @ 250µA 7.9 nC @ 5 V ±16V 265 pF @ 25 V - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR014TRL

    IRLR014TRL

    MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,916
    IRLR014TRL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR024NTRR

    IRLR024NTRR

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    9,947
    IRLR024NTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 4V, 10V 65mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±16V 480 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR024TRL

    IRLR024TRL

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,988
    IRLR024TRL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR024TRR

    IRLR024TRR

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

    Vishay Siliconix

    4,099
    IRLR024TRR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.