БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFBC30STRR

    IRFBC30STRR

    MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

    Vishay Siliconix

    9,955
    IRFBC30STRR

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFBC40LCS

    IRFBC40LCS

    MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

    Vishay Siliconix

    6,106
    IRFBC40LCS

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFBE20L

    IRFBE20L

    MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK

    Vishay Siliconix

    6,664
    IRFBE20L

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 1.8A (Tc) 10V 6.5Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRFBE30STRL

    IRFBE30STRL

    MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

    Vishay Siliconix

    5,005
    IRFBE30STRL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRFBF30L

    IRFBF30L

    MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK

    Vishay Siliconix

    3,033
    IRFBF30L

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 3.6A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRFI610G

    IRFI610G

    MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220-3

    Vishay Siliconix

    6,149
    IRFI610G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2.6A (Ta) - - - - - - - - - - - Through Hole TO-220-3
    IRFL024NTR

    IRFL024NTR

    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

    Infineon Technologies

    3,648
    IRFL024NTR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2.8A (Ta) 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRFR010TRR

    IRFR010TRR

    MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

    Vishay Siliconix

    5,792
    IRFR010TRR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 8.2A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR18N15DTRL

    IRFR18N15DTRL

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

    Infineon Technologies

    8,019
    IRFR18N15DTRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR18N15DTRR

    IRFR18N15DTRR

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

    Infineon Technologies

    4,717
    IRFR18N15DTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR214TRL

    IRFR214TRL

    MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

    Vishay Siliconix

    5,531
    IRFR214TRL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR224TRR

    IRFR224TRR

    MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,505
    IRFR224TRR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3.8A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR9014NTR

    IRFR9014NTR

    MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

    Vishay Siliconix

    6,931
    IRFR9014NTR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR9014NTRR

    IRFR9014NTRR

    MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

    Vishay Siliconix

    6,141
    IRFR9014NTRR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR9014TRR

    IRFR9014TRR

    MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

    Vishay Siliconix

    7,911
    IRFR9014TRR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR9120NTRR

    IRFR9120NTRR

    MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

    Infineon Technologies

    3,134
    IRFR9120NTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.6A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.9A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFR9210TRR

    IRFR9210TRR

    MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

    Vishay Siliconix

    5,937
    IRFR9210TRR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.9A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR9214TRR

    IRFR9214TRR

    MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

    Vishay Siliconix

    2,285
    IRFR9214TRR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.7A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.7A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 220 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFSL31N20DTRL

    IRFSL31N20DTRL

    MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK

    Vishay Siliconix

    7,611
    IRFSL31N20DTRL

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRFSL31N20DTRR

    IRFSL31N20DTRR

    MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK

    Vishay Siliconix

    5,204
    IRFSL31N20DTRR

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.