БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRLR120TRL

    IRLR120TRL

    MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

    Vishay Siliconix

    6,530
    IRLR120TRL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.7A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 4.6A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR2703TRL

    IRLR2703TRL

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK

    Infineon Technologies

    2,355
    IRLR2703TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Tc) 4V, 10V 45mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR2705TR

    IRLR2705TR

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

    Infineon Technologies

    6,187
    IRLR2705TR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 28A (Tc) 4V, 10V 40mOhm @ 17A, 10V 2V @ 250µA 25 nC @ 5 V ±16V 880 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR3410TRR

    IRLR3410TRR

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

    Infineon Technologies

    5,871
    IRLR3410TRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 4V, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 nC @ 5 V ±16V 800 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR8503TRL

    IRLR8503TRL

    MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

    Infineon Technologies

    8,792
    IRLR8503TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLU024

    IRLU024

    MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA

    Vishay Siliconix

    8,347
    IRLU024

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IRLU110

    IRLU110

    MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

    Vishay Siliconix

    5,358
    IRLU110

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IRLZ34STRL

    IRLZ34STRL

    MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

    Vishay Siliconix

    7,753
    IRLZ34STRL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4V, 5V 50mOhm @ 18A, 5V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±10V 1600 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF7534D1TR

    IRF7534D1TR

    MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8

    Infineon Technologies

    4,691
    IRF7534D1TR

    Техническая документация

    FETKY™ 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±12V 1066 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
    ZXM66P03N8TA

    ZXM66P03N8TA

    MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO

    Diodes Incorporated

    6,198
    ZXM66P03N8TA

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.25A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 5.6A, 10V 1V @ 250µA 36 nC @ 5 V ±20V 1979 pF @ 25 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    ZXMN2A02X8TA

    ZXMN2A02X8TA

    MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP

    Diodes Incorporated

    6,916
    ZXMN2A02X8TA

    Техническая документация

    - 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 6.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 20mOhm @ 11A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 18.6 nC @ 4.5 V ±20V 1900 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-MSOP
    IRFU220N

    IRFU220N

    MOSFET N-CH 200V 5A IPAK

    Infineon Technologies

    5,985
    IRFU220N

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    SSH22N50A

    SSH22N50A

    MOSFET N-CH 500V 22A TO3P

    onsemi

    7,179
    SSH22N50A

    Техническая документация

    - TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 22A (Tc) 10V 250mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 236 nC @ 10 V ±30V 5120 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
    2SK353900L

    2SK353900L

    MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI3-G1

    Panasonic Electronic Components

    7,939
    2SK353900L

    Техническая документация

    - SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 100mA (Ta) 2.5V, 4V 15Ohm @ 10mA, 2.5V 1.5V @ 1µA - ±7V 12 pF @ 3 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SMini3-G1
    2SK122800L

    2SK122800L

    MOSFET N-CH 50V 50MA MINI3-G1

    Panasonic Electronic Components

    8,161
    2SK122800L

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 50mA (Ta) 2.5V 50Ohm @ 10mA, 2.5V 1.1V @ 100µA - 10V 4.5 pF @ 5 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount Mini3-G1
    IXFH20N80Q

    IXFH20N80Q

    MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD

    IXYS

    6,989
    IXFH20N80Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 20A (Tc) 10V 420mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXFH26N60Q

    IXFH26N60Q

    MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD

    IXYS

    8,460
    IXFH26N60Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 250mOhm @ 13A, 10V 4.5V @ 4mA 200 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXFH80N20Q

    IXFH80N20Q

    MOSFET N-CH 200V 80A TO247AD

    IXYS

    3,333
    IXFH80N20Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 80A (Tc) 10V 28mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 180 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    IXFK120N20

    IXFK120N20

    MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA

    IXYS

    5,285
    IXFK120N20

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 120A (Tc) 10V 17mOhm @ 60A, 10V 4V @ 8mA 300 nC @ 10 V ±20V 9100 pF @ 25 V - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXFK27N80

    IXFK27N80

    MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA

    IXYS

    6,429
    IXFK27N80

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 27A (Tc) 10V 300mOhm @ 13.5A, 10V 4.5V @ 8mA 400 nC @ 10 V ±20V 9740 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.