БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IRF6215L

      IRF6215L

      MOSFET P-CH 150V 13A TO262

      Infineon Technologies

      		 5,174
      Запрос на предложение
      		IRF6215L

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF9540NL

      IRF9540NL

      MOSFET P-CH 100V 23A TO262

      Infineon Technologies

      		 5,968
      Запрос на предложение
      		IRF9540NL

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Tc) 10V 117mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 97 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF9Z34NL

      IRF9Z34NL

      MOSFET P-CH 55V 19A TO262

      Infineon Technologies

      		 4,321
      Запрос на предложение
      		IRF9Z34NL

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) 10V 100mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF7534D1

      IRF7534D1

      MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8

      Infineon Technologies

      		 9,699
      Запрос на предложение
      		IRF7534D1

      Техническая документация

             		FETKY™ 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 1.2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±12V 1066 pF @ 10 V Schottky Diode (Isolated) 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
      IRF7526D1

      IRF7526D1

      MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8

      Infineon Technologies

      		 9,532
      Запрос на предложение
      		IRF7526D1

      Техническая документация

             		FETKY™ 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2A (Ta) 4.5V, 10V 200mOhm @ 1.2A, 10V 1V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 1.25W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro8™
      IRF1310NSTRR

      IRF1310NSTRR

      MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,566
      Запрос на предложение
      		IRF1310NSTRR

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 10V 36mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3315STRR

      IRF3315STRR

      MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,235
      Запрос на предложение
      		IRF3315STRR

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 21A (Tc) 10V 82mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3415STRR

      IRF3415STRR

      MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 9,476
      Запрос на предложение
      		IRF3415STRR

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 43A (Tc) 10V 42mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 200 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF3704STRL

      IRF3704STRL

      MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 8,677
      Запрос на предложение
      		IRF3704STRL

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V ±20V 1996 pF @ 10 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF520NSTRL

      IRF520NSTRL

      MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,958
      Запрос на предложение
      		IRF520NSTRL

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF520NSTRR

      IRF520NSTRR

      MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 4,760
      Запрос на предложение
      		IRF520NSTRR

      Техническая документация

             		HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.7A, 10V 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 330 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      IRF520STRR

      IRF520STRR

      MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 6,925
      Запрос на предложение
      		IRF520STRR

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 9.2A (Tc) 10V 270mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IRF530L

      IRF530L

      MOSFET N-CH 100V 14A TO262

      Vishay Siliconix

      		 2,346
      Запрос на предложение
      		IRF530L

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Tc) 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF540L

      IRF540L

      MOSFET N-CH 100V 28A TO262

      Vishay Siliconix

      		 4,954
      Запрос на предложение
      		IRF540L

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF614L

      IRF614L

      MOSFET N-CH 250V 2.7A TO262

      Vishay Siliconix

      		 7,731
      Запрос на предложение
      		IRF614L

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.7A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V ±20V 140 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      IRF624L

      IRF624L

      MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK

      Vishay Siliconix

      		 5,797
      Запрос на предложение
      		IRF624L

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.6A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
      IRF630L

      IRF630L

      MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

      Vishay Siliconix

      		 3,792
      Запрос на предложение
      		IRF630L

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 800 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
      IRF634L

      IRF634L

      MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK

      Vishay Siliconix

      		 7,568
      Запрос на предложение
      		IRF634L

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8.1A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.1A, 10V 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 770 pF @ 25 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
      IRF7207TR

      IRF7207TR

      MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO

      Infineon Technologies

      		 8,463
      Запрос на предложение
      		IRF7207TR

      Техническая документация

             		HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Tc) 2.7V, 4.5V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 22 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V - 2.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      IRF7322D1TR

      IRF7322D1TR

      MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

      Infineon Technologies

      		 9,614
      Запрос на предложение
      		IRF7322D1TR

      Техническая документация

             		FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.3A (Ta) 2.7V, 4.5V 62mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA (Min) 29 nC @ 4.5 V ±12V 780 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
      Total 36322 Record«Prev1... 14431444144514461447144814491450...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]