БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFP450LC

    IRFP450LC

    MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

    Vishay Siliconix

    7,572
    IRFP450LC

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFP460LC

    IRFP460LC

    MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

    Vishay Siliconix

    4,966
    IRFP460LC

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 270mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFL4105

    IRFL4105

    MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

    Infineon Technologies

    8,116
    IRFL4105

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 3.7A (Ta) 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 660 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRF5305STRR

    IRF5305STRR

    MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,682
    IRF5305STRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 31A (Tc) 10V 60mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF3706S

    IRF3706S

    MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,061
    IRF3706S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 2.8V, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFS17N20D

    IRFS17N20D

    MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK

    Infineon Technologies

    3,261
    IRFS17N20D

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 16A (Tc) 10V 170mOhm @ 9.8A, 10V 5.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFSL31N20D

    IRFSL31N20D

    MOSFET N-CH 200V 31A TO262

    Infineon Technologies

    2,123
    IRFSL31N20D

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 31A (Tc) 10V 82mOhm @ 18A, 10V 5.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 2370 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRL2703S

    IRL2703S

    MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,832
    IRL2703S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 40mOhm @ 14A, 10V 1V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±16V 450 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLR8503

    IRLR8503

    MOSFET N-CH 30V 44A DPAK

    Infineon Technologies

    9,790
    IRLR8503

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 44A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 20 nC @ 5 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFU18N15D

    IRFU18N15D

    MOSFET N-CH 150V 18A IPAK

    Infineon Technologies

    2,456
    IRFU18N15D

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRFL1006

    IRFL1006

    MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223

    Infineon Technologies

    4,909
    IRFL1006

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.6A (Ta) 10V 220mOhm @ 1.6A, 10V 4V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V 160 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223
    IRL3215

    IRL3215

    MOSFET N-CH 150V 12A TO220AB

    Infineon Technologies

    7,180
    IRL3215

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 12A (Tc) 4V, 10V 166mOhm @ 7.2A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V ±16V 775 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3706

    IRF3706

    MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

    Infineon Technologies

    3,171
    IRF3706

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 77A (Tc) 2.8V, 10V 8.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF3205L

    IRF3205L

    MOSFET N-CH 55V 110A TO262

    Infineon Technologies

    8,316
    IRF3205L

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 8mOhm @ 62A, 10V 4V @ 250µA 146 nC @ 10 V ±20V 3247 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF530NL

    IRF530NL

    MOSFET N-CH 100V 17A TO262

    Infineon Technologies

    6,069
    IRF530NL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 17A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V 4V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 920 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF730AL

    IRF730AL

    MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK

    Vishay Siliconix

    3,398
    IRF730AL

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3.3A, 10V 4.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRFZ24NL

    IRFZ24NL

    MOSFET N-CH 55V 17A TO262

    Infineon Technologies

    4,781
    IRFZ24NL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 17A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 370 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFZ44EL

    IRFZ44EL

    MOSFET N-CH 60V 48A TO262

    Infineon Technologies

    3,713
    IRFZ44EL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Tc) 10V 23mOhm @ 29A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRL2505L

    IRL2505L

    MOSFET N-CH 55V 104A TO262

    Infineon Technologies

    2,221
    IRL2505L

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 104A (Tc) 4V, 10V 8mOhm @ 54A, 10V 2V @ 250µA 130 nC @ 5 V ±16V 5000 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFI9634G

    IRFI9634G

    MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3

    Vishay Siliconix

    5,967
    IRFI9634G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4.1A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.