БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRL640

    IRL640

    MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    4,376
    IRL640

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 17A (Tc) 4V, 5V 180mOhm @ 10A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 1800 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRLI520G

    IRLI520G

    MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3

    Vishay Siliconix

    5,089
    IRLI520G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.2A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 4.3A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRLIZ44G

    IRLIZ44G

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

    Vishay Siliconix

    2,319
    IRLIZ44G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4V, 5V 28mOhm @ 18A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 3300 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    94-3316

    94-3316

    MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

    Infineon Technologies

    2,326
    94-3316

    Техническая документация

    HEXFET® TO-261-4, TO-261AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 2A (Ta) - 140mOhm @ 2A, 10V 2V @ 250µA 14 nC @ 10 V - 230 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount SOT-223
    IRLML5103TR

    IRLML5103TR

    MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

    Infineon Technologies

    2,675
    IRLML5103TR

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 760mA (Ta) 4.5V, 10V 600mOhm @ 600mA, 10V 1V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V ±20V 75 pF @ 25 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    IRLML6302TR

    IRLML6302TR

    MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23

    Infineon Technologies

    4,399
    IRLML6302TR

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 780mA (Ta) 2.7V, 4.5V 600mOhm @ 610mA, 4.5V 1.5V @ 250µA 3.6 nC @ 4.45 V ±12V 97 pF @ 15 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
    IRLMS1503TR

    IRLMS1503TR

    MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP

    Infineon Technologies

    3,969
    IRLMS1503TR

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.2A (Ta) - 100mOhm @ 2.2A, 10V 1V @ 250µA 9.6 nC @ 10 V - 210 pF @ 25 V - - - - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
    IRLMS6802TR

    IRLMS6802TR

    MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP

    Infineon Technologies

    4,650
    IRLMS6802TR

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.6A (Ta) - 50mOhm @ 5.1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 16 nC @ 5 V - 1079 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
    IRLR014TR

    IRLR014TR

    MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

    Vishay Siliconix

    9,342
    IRLR014TR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR024

    IRLR024

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

    Vishay Siliconix

    6,763
    IRLR024

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR024TR

    IRLR024TR

    MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

    Vishay Siliconix

    3,787
    IRLR024TR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Tc) 4V, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V ±10V 870 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR110

    IRLR110

    MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

    Vishay Siliconix

    4,645
    IRLR110

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR110TR

    IRLR110TR

    MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

    Vishay Siliconix

    9,867
    IRLR110TR

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 4.3A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±10V 250 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLR120

    IRLR120

    MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

    Vishay Siliconix

    9,401
    IRLR120

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 7.7A (Tc) 4V, 5V 270mOhm @ 4.6A, 5V 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±10V 490 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRLU014

    IRLU014

    MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA

    Vishay Siliconix

    7,404
    IRLU014

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 4V, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 2V @ 250µA 8.4 nC @ 5 V ±10V 400 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IRLU3303

    IRLU3303

    MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK

    Infineon Technologies

    6,816
    IRLU3303

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 31mOhm @ 21A, 10V 1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V ±16V 870 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    IRLZ44

    IRLZ44

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    9,868
    IRLZ44

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4V, 5V 28mOhm @ 31A, 5V 2V @ 250µA 66 nC @ 5 V ±10V 3300 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRLZ44NSTRR

    IRLZ44NSTRR

    MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,893
    IRLZ44NSTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 47A (Tc) 4V, 10V 22mOhm @ 25A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 5 V ±16V 1700 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    SI3443DVTR

    SI3443DVTR

    MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

    Infineon Technologies

    6,862
    SI3443DVTR

    Техническая документация

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Cut Tape (CT) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.4A (Ta) - 65mOhm @ 4.4A, 4.5V 1.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V - 1079 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
    IRFI9Z24G

    IRFI9Z24G

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3

    Vishay Siliconix

    7,632
    IRFI9Z24G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.5A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.1A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.