БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFT32N50Q

    IXFT32N50Q

    MOSFET N-CH 500V 32A TO268

    IXYS

    6,287
    IXFT32N50Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 32A (Tc) 10V 160mOhm @ 16A, 10V 4.5V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 4925 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFT40N30Q

    IXFT40N30Q

    MOSFET N-CH 300V 40A TO268

    IXYS

    2,152
    IXFT40N30Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 40A (Tc) 10V 80mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFT52N30Q

    IXFT52N30Q

    MOSFET N-CH 300V 52A TO268

    IXYS

    5,899
    IXFT52N30Q

    Техническая документация

    HiPerFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 52A (Tc) 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 360W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
    IXFX90N20Q

    IXFX90N20Q

    MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3

    IXYS

    5,039
    IXFX90N20Q

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 22mOhm @ 45A, 10V 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IRF7811WTR

    IRF7811WTR

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    5,498
    IRF7811WTR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V 12mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 33 nC @ 5 V ±12V 2335 pF @ 16 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7807VTR

    IRF7807VTR

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

    Infineon Technologies

    2,375
    IRF7807VTR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±20V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7807VD1

    IRF7807VD1

    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

    Infineon Technologies

    9,381
    IRF7807VD1

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 8.3A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±20V - Schottky Diode (Isolated) 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7805ATR

    IRF7805ATR

    MOSFET N-CH 30V 13A 8SO

    Infineon Technologies

    5,781
    IRF7805ATR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V ±12V - - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7420

    IRF7420

    MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO

    Infineon Technologies

    6,761
    IRF7420

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 11.5A (Tc) 1.8V, 4.5V 14mOhm @ 11.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±8V 3529 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7453TR

    IRF7453TR

    MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO

    Infineon Technologies

    6,464
    IRF7453TR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Ta) 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7477TR

    IRF7477TR

    MOSFET N-CH 30V 14A 8SO

    Infineon Technologies

    2,038
    IRF7477TR

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 4.5 V ±20V 2710 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF5805TR

    IRF5805TR

    MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6

    Infineon Technologies

    4,798
    IRF5805TR

    Техническая документация

    HEXFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.8A (Ta) 4.5V, 10V 98mOhm @ 3.8A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±20V 511 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
    IRF5803D2

    IRF5803D2

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SO

    Infineon Technologies

    7,877
    IRF5803D2

    Техническая документация

    FETKY™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 3.4A (Ta) 4.5V, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 3V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 25 V Schottky Diode (Isolated) 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFU3709

    IRFU3709

    MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

    Infineon Technologies

    6,993
    IRFU3709

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 4.5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRL3715S

    IRL3715S

    MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK

    Infineon Technologies

    9,333
    IRL3715S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRL3714S

    IRL3714S

    MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    7,685
    IRL3714S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRLR3715

    IRLR3715

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK

    Infineon Technologies

    8,426
    IRLR3715

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 54A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 26A, 10V 3V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1060 pF @ 10 V - 3.8W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRLR3714

    IRLR3714

    MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

    Infineon Technologies

    9,077
    IRLR3714

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRL3714L

    IRL3714L

    MOSFET N-CH 20V 36A TO262

    Infineon Technologies

    2,107
    IRL3714L

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 18A, 10V 3V @ 250µA 9.7 nC @ 4.5 V ±20V 670 pF @ 10 V - 47W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFU3706

    IRFU3706

    MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

    Infineon Technologies

    5,304
    IRFU3706

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 75A (Tc) 2.8V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 4.5 V ±12V 2410 pF @ 10 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.