БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RFP40N10

    RFP40N10

    MOSFET N-CH 100V 40A TO220-3

    onsemi

    4,259
    RFP40N10

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 40A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 300 nC @ 20 V ±20V - - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRF3000

    IRF3000

    MOSFET N-CH 300V 1.6A 8SO

    Infineon Technologies

    4,080
    IRF3000

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 1.6A (Ta) 10V 400mOhm @ 960mA, 10V 5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7476

    IRF7476

    MOSFET N-CH 12V 15A 8SO

    Infineon Technologies

    5,626
    IRF7476

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 15A (Ta) 2.8V, 4.5V 8mOhm @ 15A, 4.5V 1.9V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±12V 2550 pF @ 6 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRL3716

    IRL3716

    MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB

    Infineon Technologies

    5,891
    IRL3716

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 90A, 10V 3V @ 250µA 79 nC @ 4.5 V ±20V 5090 pF @ 10 V - 210W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IXTH20N60

    IXTH20N60

    MOSFET N-CH 600V 20A TO247

    IXYS

    2,576
    IXTH20N60

    Техническая документация

    MegaMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 350mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    2SK0615

    2SK0615

    MOSFET N-CH 80V 500MA M-A1

    Panasonic Electronic Components

    9,207
    2SK0615

    Техническая документация

    - 3-SIP Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 500mA (Ta) 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA - 20V 45 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Through Hole M-A1
    2SK060100L

    2SK060100L

    MOSFET N-CH 80V 500MA MINIP3-F1

    Panasonic Electronic Components

    4,309
    2SK060100L

    Техническая документация

    - TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 500mA (Ta) 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 3.5V @ 1mA - 20V 45 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount MiniP3-F1
    2SK221100L

    2SK221100L

    MOSFET N-CH 30V 1A MINIP3-F1

    Panasonic Electronic Components

    7,926
    2SK221100L

    Техническая документация

    - TO-243AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1A (Ta) 4V, 10V 600mOhm @ 500mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 87 pF @ 10 V - 1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount MiniP3-F1
    BSP123L6327HTSA1

    BSP123L6327HTSA1

    MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4

    Infineon Technologies

    8,700
    BSP123L6327HTSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 370mA (Ta) 2.8V, 10V 6Ohm @ 370mA, 10V 1.8V @ 50µA 2.4 nC @ 10 V ±20V 70 pF @ 25 V - 1.79W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4
    BSS123E6327

    BSS123E6327

    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    9,726
    BSS123E6327

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 170mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V 1.8V @ 50µA 2.67 nC @ 10 V ±20V 69 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
    BSS131E6327

    BSS131E6327

    MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3

    Infineon Technologies

    4,528
    BSS131E6327

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240 V 110mA (Ta) 4.5V, 10V 14Ohm @ 100mA, 10V 1.8V @ 56µA 3.1 nC @ 10 V ±20V 77 pF @ 25 V - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23
    SPP08P06PBKSA1

    SPP08P06PBKSA1

    MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,464
    SPP08P06PBKSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 300mOhm @ 6.2A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPP18P06PHKSA1

    SPP18P06PHKSA1

    MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3

    Infineon Technologies

    5,736
    SPP18P06PHKSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18.7A (Ta) 10V 130mOhm @ 13.2A, 10V 4V @ 1mA 28 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 81.1W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IRF1302S

    IRF1302S

    MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,290
    IRF1302S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 174A (Tc) 10V 4mOhm @ 104A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFU3410

    IRFU3410

    MOSFET N-CH 100V 31A IPAK

    Infineon Technologies

    2,243
    IRFU3410

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31A (Tc) 10V 39mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 1690 pF @ 25 V - 3W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRLU7833

    IRLU7833

    MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK

    Infineon Technologies

    4,342
    IRLU7833

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 140A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 15A, 10V 2.3V @ 250µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 4010 pF @ 15 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    ZXM64P035L3

    ZXM64P035L3

    MOSFET P-CH 35V 3.3A/12A TO220-3

    Diodes Incorporated

    4,984
    ZXM64P035L3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35 V 3.3A (Ta), 12A (Tc) 4.5V, 10V 75mOhm @ 2.4A, 10V 1V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 825 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRFR3711Z

    IRFR3711Z

    MOSFET N-CH 20V 93A DPAK

    Infineon Technologies

    9,896
    IRFR3711Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 93A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 27 nC @ 4.5 V ±20V 2160 pF @ 10 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    ZXM64N035GTA

    ZXM64N035GTA

    MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223

    Diodes Incorporated

    8,527
    ZXM64N035GTA

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35 V 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) 4.5V, 10V 50mOhm @ 3.7A, 10V 1V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 25 V - 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-3
    IRF4104S

    IRF4104S

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,949
    IRF4104S

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 5.5mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.