БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    BSV236SP L6327

    BSV236SP L6327

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6

    Infineon Technologies

    8,413
    BSV236SP L6327

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 1.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 175mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 8µA 5.7 nC @ 4.5 V ±12V 228 pF @ 15 V - 560mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    IPB09N03LA

    IPB09N03LA

    MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3

    Infineon Technologies

    9,367
    IPB09N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1642 pF @ 15 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB06N03LA

    IPB06N03LA

    MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3

    Infineon Technologies

    3,599
    IPB06N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    BSO201SPNTMA1

    BSO201SPNTMA1

    MOSFET P-CH 20V 14.9A 8DSO

    Infineon Technologies

    3,892
    BSO201SPNTMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 14.9A (Ta) 2.5V, 4.5V 8mOhm @ 14.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 128 nC @ 4.5 V ±12V 5962 pF @ 15 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
    SPI11N60C3XKSA1

    SPI11N60C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3

    Infineon Technologies

    6,664
    SPI11N60C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
    SPP80P06PBKSA1

    SPP80P06PBKSA1

    MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,645
    SPP80P06PBKSA1

    Техническая документация

    SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 23mOhm @ 64A, 10V 4V @ 5.5mA 173 nC @ 10 V ±20V 5033 pF @ 25 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPP02N80C3XKSA1

    SPP02N80C3XKSA1

    MOSFET N-CH 800V 2A TO220-3

    Infineon Technologies

    4,232
    SPP02N80C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.2A, 10V 3.9V @ 120µA 16 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 100 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPW12N50C3FKSA1

    SPW12N50C3FKSA1

    MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3

    Infineon Technologies

    8,227
    SPW12N50C3FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 11.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 49 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    SPP80N03S2L05AKSA1

    SPP80N03S2L05AKSA1

    MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    2,439
    SPP80N03S2L05AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 55A, 10V 2V @ 110µA 89.7 nC @ 10 V ±20V 3320 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPW21N50C3FKSA1

    SPW21N50C3FKSA1

    MOSFET N-CH 560V 21A TO247-3

    Infineon Technologies

    9,513
    SPW21N50C3FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    IPU09N03LA G

    IPU09N03LA G

    MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    6,250
    IPU09N03LA G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1642 pF @ 15 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-21
    IPP03N03LA

    IPP03N03LA

    MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    8,711
    IPP03N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tape & Box (TB) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 55A, 10V 2V @ 100µA 57 nC @ 5 V ±20V 7027 pF @ 15 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPU06N03LAGXK

    IPU06N03LAGXK

    MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3

    Infineon Technologies

    6,806
    IPU06N03LAGXK

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 5.9mOhm @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole P-TO251-3-1
    IPU13N03LA G

    IPU13N03LA G

    MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3

    Infineon Technologies

    5,899
    IPU13N03LA G

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 12.8mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 nC @ 5 V ±20V 1043 pF @ 15 V - 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole P-TO251-3-1
    IPP09N03LA

    IPP09N03LA

    MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,078
    IPP09N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 13 nC @ 5 V ±20V 1642 pF @ 15 V - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP14N03LA

    IPP14N03LA

    MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,692
    IPP14N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 13.9mOhm @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 nC @ 5 V ±20V 1043 pF @ 15 V - 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP05N03LA

    IPP05N03LA

    MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    7,228
    IPP05N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 55A, 10V 2V @ 50µA 25 nC @ 5 V ±20V 3110 pF @ 15 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    IPP06N03LA

    IPP06N03LA

    MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,066
    IPP06N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nC @ 5 V ±20V 2653 pF @ 15 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SPA04N50C3XKSA1

    SPA04N50C3XKSA1

    MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-FP

    Infineon Technologies

    7,644
    SPA04N50C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    IPP04N03LA

    IPP04N03LA

    MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,022
    IPP04N03LA

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V 2V @ 60µA 32 nC @ 5 V ±20V 3877 pF @ 15 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.