БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SPA21N50C3XKSA1

    SPA21N50C3XKSA1

    MOSFET N-CH 560V 21A TO220-FP

    Infineon Technologies

    6,177
    SPA21N50C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 34.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    SPA12N50C3XKSA1

    SPA12N50C3XKSA1

    MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-FP

    Infineon Technologies

    3,822
    SPA12N50C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 11.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 3.9V @ 500µA 49 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    SPA04N60C3XKSA1

    SPA04N60C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220-FP

    Infineon Technologies

    6,577
    SPA04N60C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    SPP08N50C3XKSA1

    SPP08N50C3XKSA1

    MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-3

    Infineon Technologies

    3,422
    SPP08N50C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 7.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 32 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SPA08N50C3XKSA1

    SPA08N50C3XKSA1

    MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-FP

    Infineon Technologies

    3,378
    SPA08N50C3XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 7.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350µA 32 nC @ 10 V ±20V 750 pF @ 25 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    IRFZ44ZS

    IRFZ44ZS

    MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

    Infineon Technologies

    4,625
    IRFZ44ZS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRFZ44ZL

    IRFZ44ZL

    MOSFET N-CH 55V 51A TO262

    Infineon Technologies

    2,993
    IRFZ44ZL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 51A (Tc) 10V 13.9mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFR4105ZTR

    IRFR4105ZTR

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

    Infineon Technologies

    7,090
    IRFR4105ZTR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFU4105ZTR

    IRFU4105ZTR

    MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA

    Vishay Siliconix

    8,471
    IRFU4105ZTR

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IRFU4105ZTRL

    IRFU4105ZTRL

    MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA

    Vishay Siliconix

    3,086
    IRFU4105ZTRL

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IRFU4105ZTRR

    IRFU4105ZTRR

    MOSFET N-CH 55V 30A TO251AA

    Vishay Siliconix

    4,019
    IRFU4105ZTRR

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IRLR3714Z

    IRLR3714Z

    MOSFET N-CH 20V 37A DPAK

    Infineon Technologies

    8,837
    IRLR3714Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 37A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 7.1 nC @ 4.5 V ±20V 560 pF @ 10 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRL3714Z

    IRL3714Z

    MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,126
    IRL3714Z

    Техническая документация

    HEXFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 36A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 15A, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 nC @ 4.5 V ±20V 550 pF @ 10 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF540ZS

    IRF540ZS

    MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,122
    IRF540ZS

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF540ZL

    IRF540ZL

    MOSFET N-CH 100V 36A TO262

    Infineon Technologies

    6,231
    IRF540ZL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 36A (Tc) 10V 26.5mOhm @ 22A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    STD1HNC60T4

    STD1HNC60T4

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

    STMicroelectronics

    6,792
    STD1HNC60T4

    Техническая документация

    PowerMESH™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 5Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±30V 228 pF @ 25 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    STP19NB20

    STP19NB20

    MOSFET N-CH 200V 19A TO220AB

    STMicroelectronics

    5,265
    STP19NB20

    Техническая документация

    PowerMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 19A (Tc) 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STY34NB50

    STY34NB50

    MOSFET N-CH 500V 34A MAX247

    STMicroelectronics

    3,950
    STY34NB50

    Техническая документация

    PowerMESH™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 34A (Tc) 10V 130mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 223 nC @ 10 V ±30V 9100 pF @ 25 V - 450W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole MAX247™
    STP12PF06

    STP12PF06

    MOSFET P-CH 60V 12A TO220AB

    STMicroelectronics

    9,954
    STP12PF06

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Tc) 10V 200mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 850 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRF840

    IRF840

    MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB

    STMicroelectronics

    3,924
    IRF840

    Техническая документация

    PowerMESH™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 832 pF @ 25 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.