БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRF630NL

    IRF630NL

    MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262

    Infineon Technologies

    2,202
    IRF630NL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.3A (Tc) 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 575 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRFR3708

    IRFR3708

    MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

    Infineon Technologies

    9,096
    IRFR3708

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 61A (Tc) 2.8V, 10V 12.5mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFU12N25D

    IRFU12N25D

    MOSFET N-CH 250V 14A IPAK

    Infineon Technologies

    4,875
    IRFU12N25D

    Техническая документация

    HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 260mOhm @ 8.4A, 10V 5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±30V 810 pF @ 25 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
    IRF3709L

    IRF3709L

    MOSFET N-CH 30V 90A TO262

    Infineon Technologies

    3,087
    IRF3709L

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 9mOhm @ 15A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 5 V ±20V 2672 pF @ 16 V - 3.1W (Ta), 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF3708L

    IRF3708L

    MOSFET N-CH 30V 62A TO262

    Infineon Technologies

    6,811
    IRF3708L

    Техническая документация

    HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 62A (Tc) 2.8V, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V ±12V 2417 pF @ 15 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IRF6601

    IRF6601

    MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    6,794
    IRF6601

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MT Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 26A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 26A, 10V 2.2V @ 250µA 45 nC @ 4.5 V ±20V 3440 pF @ 15 V - 3.6W (Ta), 42W (Tc) - - - Surface Mount DIRECTFET™ MT
    IRF6602

    IRF6602

    MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    3,539
    IRF6602

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MQ Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 11A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11A, 10V 2.3V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V ±20V 1420 pF @ 10 V - 2.3W (Ta), 42W (Tc) - - - Surface Mount DIRECTFET™ MQ
    IRF7453

    IRF7453

    MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO

    Infineon Technologies

    3,313
    IRF7453

    Техническая документация

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 2.2A (Ta) 10V 230mOhm @ 1.3A, 10V 5.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 930 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRFPS43N50K

    IRFPS43N50K

    MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247

    Vishay Siliconix

    3,949
    IRFPS43N50K

    Техническая документация

    - TO-274AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 47A (Tc) 10V 90mOhm @ 28A, 10V 5V @ 250µA 350 nC @ 10 V ±30V 8310 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    IRFB18N50K

    IRFB18N50K

    MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB

    Vishay Siliconix

    7,808
    IRFB18N50K

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 17A (Tc) 10V 290mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 2830 pF @ 25 V - 220W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFP23N50L

    IRFP23N50L

    MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3

    Vishay Siliconix

    9,193
    IRFP23N50L

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 23A (Tc) 10V 235mOhm @ 14A, 10V 5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 370W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRF7701

    IRF7701

    MOSFET P-CH 12V 10A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    4,540
    IRF7701

    Техническая документация

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 10A (Tc) 1.8V, 4.5V 11mOhm @ 10A, 4.5V 1.2V @ 250µA 100 nC @ 4.5 V ±8V 5050 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF644NS

    IRF644NS

    MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

    Vishay Siliconix

    9,121
    IRF644NS

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF7707

    IRF7707

    MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP

    Infineon Technologies

    5,985
    IRF7707

    Техническая документация

    HEXFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 7A (Ta) 2.5V, 4.5V 22mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 47 nC @ 4.5 V ±12V 2361 pF @ 15 V - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    IRF644N

    IRF644N

    MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

    Vishay Siliconix

    8,563
    IRF644N

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF1407STRR

    IRF1407STRR

    MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,861
    IRF1407STRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 100A (Tc) 10V 7.8mOhm @ 78A, 10V 4V @ 250µA 250 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF630NSTRR

    IRF630NSTRR

    MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

    Infineon Technologies

    6,614
    IRF630NSTRR

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.3A (Tc) 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 575 pF @ 25 V - 82W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    IRF644NSTRL

    IRF644NSTRL

    MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

    Vishay Siliconix

    2,491
    IRF644NSTRL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF644NSTRR

    IRF644NSTRR

    MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

    Vishay Siliconix

    6,612
    IRF644NSTRR

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 240mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 1060 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF7822TRL

    IRF7822TRL

    MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

    Vishay Siliconix

    7,587
    IRF7822TRL

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta) 4.5V 6.5mOhm @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 60 nC @ 5 V ±12V 5500 pF @ 16 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.