БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFH90N65X3

    IXFH90N65X3

    MOSFET 90A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFH90N65X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 90A (Tc) 10V 33mOhm @ 45A, 10V 5.2V @ 4mA 95 nC @ 10 V ±20V 6080 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFH18N100Q3

    IXFH18N100Q3

    MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    691
    IXFH18N100Q3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 18A (Tc) 10V 660mOhm @ 9A, 10V 6.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V ±30V 4890 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    NVH4L040N120SC1

    NVH4L040N120SC1

    SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

    onsemi

    221
    NVH4L040N120SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 58A (Tc) 20V 56mOhm @ 35A, 20V 4.3V @ 10mA 106 nC @ 20 V +25V, -15V 1762 pF @ 800 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK150N30X3

    IXFK150N30X3

    MOSFET N-CH 300V 150A TO264

    Littelfuse Inc.

    575
    IXFK150N30X3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X3 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 150A (Tc) 10V 8.3mOhm @ 75A, 10V 4.5V @ 4mA 177 nC @ 10 V ±20V 13100 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
    GAN063-650WSAQ

    GAN063-650WSAQ

    GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

    Nexperia USA Inc.

    547
    GAN063-650WSAQ

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) 650 V 34.5A (Tc) 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 400 V - 143W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFX320N17T2

    IXFX320N17T2

    MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    152
    IXFX320N17T2

    Техническая документация

    HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170 V 320A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 640 nC @ 10 V ±20V 45000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFK44N80P

    IXFK44N80P

    MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA

    Littelfuse Inc.

    516
    IXFK44N80P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 44A (Tc) 10V 190mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 198 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
    IXTX90P20P

    IXTX90P20P

    MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    496
    IXTX90P20P

    Техническая документация

    PolarP™ TO-247-3 Variant Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 90A (Tc) 10V 44mOhm @ 22A, 10V 4V @ 1mA 205 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFN102N30P

    IXFN102N30P

    MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

    Littelfuse Inc.

    285
    IXFN102N30P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 88A (Tc) 10V 33mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 4mA 224 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    APT60N60BCSG

    APT60N60BCSG

    MOSFET N-CH 600V 60A TO247

    Microchip Technology

    132
    APT60N60BCSG

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 44A, 10V 3.9V @ 3mA 190 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
    IXTH7P50

    IXTH7P50

    MOSFET P-CH 500V 7A TO247

    Littelfuse Inc.

    204
    IXTH7P50

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    C3M0045065D

    C3M0045065D

    GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET

    Wolfspeed, Inc.

    454
    C3M0045065D

    Техническая документация

    C3M™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 49A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.6V @ 4.84mA 63 nC @ 15 V +19V, -8V 1621 pF @ 600 V - 176W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    C3M0075120K-A

    C3M0075120K-A

    75M 1200V 175C SIC FET

    Wolfspeed, Inc.

    299
    C3M0075120K-A

    Техническая документация

    C3M™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 90mOhm @ 20A, 15V 3.6V @ 5mA 53 nC @ 15 V +15V, -4V 1390 pF @ 1000 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SCT3080KLHRC11

    SCT3080KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

    Rohm Semiconductor

    816
    SCT3080KLHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 165W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    SCT4036KEHRC11

    SCT4036KEHRC11

    1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    368
    SCT4036KEHRC11

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 43A (Tc) 18V 47mOhm @ 21A, 18V 4.8V @ 11.1mA 91 nC @ 18 V +21V, -4V 2335 pF @ 800 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    NTBG025N065SC1

    NTBG025N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

    onsemi

    2,245
    NTBG025N065SC1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 106A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 325 V - 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    IXFX140N30P

    IXFX140N30P

    MOSFET N-CH 300V 140A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    330
    IXFX140N30P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 140A (Tc) 10V 24mOhm @ 70A, 10V 5V @ 8mA 185 nC @ 10 V ±20V 14800 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IXFR44N80P

    IXFR44N80P

    MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247

    Littelfuse Inc.

    240
    IXFR44N80P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 25A (Tc) 10V 200mOhm @ 22A, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
    IPZ65R019C7XKSA1

    IPZ65R019C7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

    Infineon Technologies

    1,153
    IPZ65R019C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 19mOhm @ 58.3A, 10V 4V @ 2.92mA 215 nC @ 10 V ±20V 9900 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    IXFN44N80P

    IXFN44N80P

    MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B

    Littelfuse Inc.

    244
    IXFN44N80P

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar SOT-227-4, miniBLOC Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 39A (Tc) 10V 190mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 200 nC @ 10 V ±30V 12000 pF @ 25 V - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227B
    Total 36322 Record«Prev1... 112113114115116117118119...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.