БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FBG30N04CC

    FBG30N04CC

    GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

    EPC Space, LLC

    165
    FBG30N04CC

    Техническая документация

    - 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 300 V 4A (Tc) 5V 404mOhm @ 4A, 5V 2.8V @ 600µA 2.6 nC @ 5 V +6V, -4V 450 pF @ 150 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    FBG20N18BSH

    FBG20N18BSH

    GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

    EPC Space, LLC

    2,897
    FBG20N18BSH

    Техническая документация

    e-GaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 18A (Tc) 5V 28mOhm @ 18A, 5V 2.5V @ 3mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 900 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    FBG10N30BSH

    FBG10N30BSH

    GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B

    EPC Space, LLC

    2,380
    FBG10N30BSH

    Техническая документация

    eGaN® 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 30A (Tc) 5V 12mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 5mA 11 nC @ 5 V +6V, -4V 1000 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
    PMN30XPEAX

    PMN30XPEAX

    SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

    Nexperia USA Inc.

    6,000
    PMN30XPEAX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A (Ta) 2.5V, 8V 33mOhm @ 5.4A, 8V 1.3V @ 250µA 16 nC @ 4.5 V ±12V 1025 pF @ 10 V - 660mW (Ta), 7.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSOP
    MCQ16N03-TP

    MCQ16N03-TP

    MOSFET N-CH 30V 8-SOP

    Micro Commercial Co

    4,000
    MCQ16N03-TP

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±20V 1550 pF @ 15 V - 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SSM3K37CT,L3F

    SSM3K37CT,L3F

    MOSFET N-CH 20V 200MA CST3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    8,794
    SSM3K37CT,L3F

    Техническая документация

    U-MOSIII SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 200mA (Ta) 1.5V, 4.5V 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 1mA - ±10V 12 pF @ 10 V - 100mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount CST3
    SSM3K35CT,L3F

    SSM3K35CT,L3F

    MOSFET N-CH 20V 180MA CST3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    32,987
    SSM3K35CT,L3F

    Техническая документация

    - SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 180mA (Ta) 1.2V, 4V 3Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - ±10V 9.5 pF @ 3 V - 100mW (Ta) 150°C - - Surface Mount CST3
    DMN3732UFB4Q-7B

    DMN3732UFB4Q-7B

    MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006

    Diodes Incorporated

    6,232
    DMN3732UFB4Q-7B

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.3A (Ta) 1.8V, 4.5V 460mOhm @ 200mA, 4.5V 950mV @ 250µA 0.9 nC @ 4.5 V ±8V 40.8 pF @ 25 V - 490mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount X2-DFN1006-3
    SSM3J35CT,L3F

    SSM3J35CT,L3F

    MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3

    Toshiba Semiconductor and Storage

    6,186
    SSM3J35CT,L3F

    Техническая документация

    π-MOSVI SC-101, SOT-883 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100mA (Ta) 1.2V, 4V 8Ohm @ 50mA, 4V 1V @ 1mA - ±10V 12.2 pF @ 3 V - 100mW (Ta) 150°C - - Surface Mount CST3
    2N7002KWHE3-TP

    2N7002KWHE3-TP

    N-CHANNEL MOSFET SOT-323

    Micro Commercial Co

    2,800
    2N7002KWHE3-TP

    Техническая документация

    - SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340mA 4.5V, 10V 2.5Ohm @ 300mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 40 pF @ 10 V - 330mW -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOT-323
    2N7002KWA-TP

    2N7002KWA-TP

    N-CHANNEL MOSFET SOT-323

    Micro Commercial Co

    2,570
    2N7002KWA-TP

    Техническая документация

    - SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 340mA 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 250µA - ±20V 40 pF @ 10 V - 330mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
    DMN2991UT-7

    DMN2991UT-7

    MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R

    Diodes Incorporated

    2,024
    DMN2991UT-7

    Техническая документация

    - SOT-523 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 300mA (Ta) 1.5V, 4.5V 3Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 250µA 0.35 nC @ 4.5 V ±10V 21.5 pF @ 15 V - 280mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-523
    SSM3K7002KF,LXHF

    SSM3K7002KF,LXHF

    SMOS NCH I: 0.4A, V: 60V, P: 270

    Toshiba Semiconductor and Storage

    17,109
    SSM3K7002KF,LXHF

    Техническая документация

    - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 400mA (Ta) 4.5V, 10V 1.5Ohm @ 100mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 nC @ 4.5 V ±20V 40 pF @ 10 V - 270mW (Ta) 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount S-Mini
    DMN62D1LFD-13

    DMN62D1LFD-13

    MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN

    Diodes Incorporated

    9,911
    DMN62D1LFD-13

    Техническая документация

    - 3-UDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 400mA (Ta) 1.8V, 4V 2Ohm @ 100mA, 4V 1V @ 250µA 0.55 nC @ 4.5 V ±20V 36 pF @ 25 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X1-DFN1212-3
    SI3139KE-TP

    SI3139KE-TP

    MOSFET P-CH 20V 660MA SOT523

    Micro Commercial Co

    2,945
    SI3139KE-TP

    Техническая документация

    - SOT-523 Tape & Reel (TR) Not For New Designs P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 660mA (Tj) 4.5V 700mOhm @ 600mA, 4.5V 1.1V @ 250µA - ±12V 170 pF @ 6 V - 150mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-523
    PMZB950UPEYL

    PMZB950UPEYL

    MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3

    Nexperia USA Inc.

    8,320
    PMZB950UPEYL

    Техническая документация

    - 3-XFDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 500mA (Ta) 1.2V, 4.5V 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V 950mV @ 250µA 2.1 nC @ 4.5 V ±8V 43 pF @ 10 V - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
    PMN230ENEAX

    PMN230ENEAX

    MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP

    Nexperia USA Inc.

    7,478
    PMN230ENEAX

    Техническая документация

    - SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 1.8A (Ta) 4.5V, 10V 222mOhm @ 1.8A, 10V 2.7V @ 250µA 3.8 nC @ 10 V ±20V 110 pF @ 30 V - 625mW (Ta), 5.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 6-TSOP
    PJC138L_R1_00001

    PJC138L_R1_00001

    60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,256
    PJC138L_R1_00001

    Техническая документация

    - SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200mA (Ta) 1.8V, 10V 4.2Ohm @ 200mA, 10V 1.5V @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±20V 15 pF @ 15 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-323
    PXN9R0-30QLJ

    PXN9R0-30QLJ

    PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33

    Nexperia USA Inc.

    4,681
    PXN9R0-30QLJ

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.4A (Ta), 41.8A (Tc) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 11.4A, 10V 2.5V @ 250µA 20.7 nC @ 10 V ±20V 865 pF @ 15 V - 1.9W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MLPAK33
    BSD316SNH6327XTSA1

    BSD316SNH6327XTSA1

    MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6

    Infineon Technologies

    5,735
    BSD316SNH6327XTSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.4A (Ta) 4.5V, 10V 160mOhm @ 1.4A, 10V 2V @ 3.7µA 0.6 nC @ 5 V ±20V 94 pF @ 15 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT363-PO
    Total 36322 Record«Prev1... 115116117118119120121122...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.